| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| ·传统半导体功率器件当前面临的问题和新材料的出现 | 第6-9页 |
| ·4H-SiC IGBT 的优势和研究意义 | 第9-10页 |
| ·4H-SiC IGBT 国内发展现状及其发展潜力 | 第10页 |
| ·本论文的特色与创新之处 | 第10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 4H-SiC 宽禁带半导体材料特性 | 第12-16页 |
| ·4H-SiC IGBT 简介 | 第12-13页 |
| ·物理特性 | 第13-15页 |
| ·禁带宽度 | 第14页 |
| ·本征载流子浓度 | 第14页 |
| ·载流子寿命 | 第14页 |
| ·迁移率 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第三章 4H-SiC 宽禁带半导体功率 IGBT 模型 | 第16-27页 |
| ·器件结构及参数取值 | 第16-18页 |
| ·IGBT 器件的工作机理 | 第18-20页 |
| ·4H-SiC IGBT 阈值电压参数计算 | 第20-21页 |
| ·4H-SiC 电离率公式拟合及参数的计算 | 第21-23页 |
| ·雪崩击穿与击穿电压 | 第23-24页 |
| ·pnpn 闩锁效应 | 第24页 |
| ·关断电流拖尾时间常数г_H | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 4H-SiC 宽禁带器件与 Si 器件性能的比较 | 第27-35页 |
| ·4H-SiC IGBT 击穿电压和外延层掺杂浓度的关系（VB-NB）&击穿电压和外延层厚度的关系（VB-W） | 第27-29页 |
| ·4H-SiC 外延层电子迁移率公式和参数计算 | 第29-30页 |
| ·4H-SiC IGBT 导通电阻和击穿电压的关系（RON-VB） | 第30-32页 |
| ·4H-SiC IGBT 漏源电流和漏源电压的关系（Ids-Vds） | 第32-33页 |
| ·4H-SiC IGBT 开关时间和额定电压的关系（ton-Vds） | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 总结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40页 |
