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材料
掺杂原子对单层SnSe材料电学性质和磁学性质影响的第一性原理研究
冶金级硅炉外吹气—熔渣联合精炼除硼、磷的工艺研究
微波水热合成半导体氧化物及其气敏特性研究
GaN基半导体材料热电性质的第一性原理计算与研究
硅包氧化精炼过程气液两相流动行为的分析与优化
具有多级孔道结构的纳米氧化锌片的制备及其性能研究
Nb:SrTiO3/ZnO外延异质结的整流效应研究
六方氧化镓薄膜的制备及氮化与掺杂特性研究
Fe掺杂In2O3稀磁半导体薄膜及纳米点阵列的制备与研究
直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺
不同半导体材料及其复合物的光电性质研究
LPCVD法制备纳米TiO2薄膜能效研究及工艺参数优化
单层SnSe/过渡金属界面及掺杂SnSe薄膜的电子结构
复合半导体（C4H9-C5H4）2N2I2的高压稳定性研究及晶体生长新方法探索
300mm直拉单晶硅生长过程中熔体—坩埚边界层的研究
共轭聚合物半导体的光谱研究
镉类半导体量子点的光物理特性研究
TiO2/In2O3复合半导体异质结杀菌特性的研究
脉冲激光沉积法制备非极性面ZnOS薄膜及其性能研究
多孔SnO2和TiOx（x≤2）材料的制备、表征及光化学应用
溶液法制备硅纳米线研究
掺杂纳米晶硅液晶光阀光敏层性能研究
SnO和Mn-SnO薄膜制备及其物性研究
砷化物半导体MBE原位脉冲激光表面辐照的研究
宽带隙半导体材料CdM2X4（M=Ga,Al X=S,Se）光电特性理论研究
直流阴极弧蒸发沉积掺杂TiO2薄膜的制备技术、结构与性能研究
HCD法制备ITO薄膜的研究
Cr1-2@Ga12N12和Mn1-2@Zn12Te12团簇的结构和磁性理论研究
有机半导体材料载流子复合的研究
射频磁控溅射制备TiO2及其在钙钛矿太阳能电池中的研究
石墨烯量子点的制备及其生物应用
基于芬顿反应的单晶SiC集群磁流变化学复合抛光研究
修饰贵金属对二氧化锡半导体材料气体敏感性质研究分析
等离子增强原子层沉积技术对TiO2光催化材料的表面改性研究
溶液法生长大面积有机半导体单晶及其柔性场效应晶体管
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构的合成和光电性质研究
氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构界面调控及其电致发光特性研究
新型稠环共轭有机半导体材料的设计、合成及其光电性能研究
AlInGaN多量子阱发光材料的制备与光电性能研究
铟（铜）-氮共掺p型氧化锌薄膜的制备和性能研究
Ⅱ-Ⅵ族无机半导体与卟啉材料的超快光学非线性研究
N-X共掺ZnO薄膜p型导电的形成机制与稳定性研究
有机半导体材料传输机制和有机二极管的电学性能的研究
ⅢA族元素掺杂的硫化镉/Si纳米孔柱阵列的制备与光电特性研究
ZnO纳米线合成及其等离子体改性研究
金刚石线切割机装配过程可视化的研究
基于谐振法的高温环境下SiC微尺度杨氏模量测试
过渡金属氧化物磁半导体的结构与磁性研究：Co3O4和Co掺杂ZnO
基于芬顿反应的单晶SiC化学腐蚀层纳米力学特性研究
钴铁硼/半导体异质结构磁各向异性研究
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