| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 光催化材料 | 第12-17页 |
| 1.1.1 背景 | 第12页 |
| 1.1.2 半导体光催化反应的基本原理 | 第12-14页 |
| 1.1.3 光催化材料的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.1.4 光催化性能的影响因素 | 第17页 |
| 1.2 等离子体增强原子层沉积技术 | 第17-23页 |
| 1.2.1 等离子体增强原子层沉积技术原理及发展 | 第17-19页 |
| 1.2.2 本论文使用的PEALD沉积设备 | 第19-20页 |
| 1.2.3 ALD在光催化领域中的应用 | 第20-23页 |
| 1.3 本论文的工作目的、研究内容和研究方法 | 第23-26页 |
| 1.3.1 工作目的、研究内容 | 第23-24页 |
| 1.3.2 样品表征与性能测试 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 第二章 PEALD对TiO_2粉末的表面N掺杂改性及其 | 第32-50页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 表面N掺杂TiO_2粉末样品的制备 | 第32-34页 |
| 2.3 表面N掺杂TiO_2粉末样品的表征 | 第34-42页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第34-36页 |
| 2.3.2 形貌分析和比表面积 | 第36-37页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 | 第37-40页 |
| 2.3.4 UV-Vis光谱 | 第40-42页 |
| 2.4 表面N掺杂TiO_2粉末样品的光催化性能 | 第42-47页 |
| 2.4.1 光催化降解实验装置 | 第42-44页 |
| 2.4.2 光催化性能及其机理 | 第44-46页 |
| 2.4.3 光催化剂稳定性 | 第46-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 PEALD制备表面金属氧化物修饰的TiO_2粉末 | 第50-67页 |
| 3.1 引言 | 第50页 |
| 3.2 PEALD制备表面氧化铁修饰的TiO_2粉末及其光催化性能 | 第50-57页 |
| 3.2.1 表面氧化铁修饰的TiO_2粉末的制备 | 第51页 |
| 3.2.2 表面氧化铁修饰的TiO_2粉末的表征 | 第51-55页 |
| 3.2.3 表面氧化铁修饰的TiO_2粉末的光催化性能 | 第55-57页 |
| 3.3 PEALD制备表面氧化钴修饰的TiO_2粉末及其光催化性能 | 第57-63页 |
| 3.3.1 表面氧化钴修饰的TiO_2粉末的制备 | 第57-58页 |
| 3.3.2 表面氧化钴修饰的TiO_2粉末的表征 | 第58-61页 |
| 3.3.3 表面氧化钴修饰的TiO_2粉末的光催化性能 | 第61-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 4.1 结论 | 第67-68页 |
| 4.2 展望 | 第68-69页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
