| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 液晶光阀概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 液晶光阀的结构与工作原理 | 第10-11页 |
| 1.1.2 液晶光阀光敏层的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.1.3 液晶光阀的应用 | 第12-13页 |
| 1.2 氢化硅薄膜概述 | 第13-18页 |
| 1.2.1 氢化非晶硅薄膜 | 第13-15页 |
| 1.2.2 氢化纳米硅薄膜 | 第15-17页 |
| 1.2.3 掺杂氢化硅薄膜 | 第17-18页 |
| 1.3 本文的研究目的和研究内容 | 第18-21页 |
| 1.3.1 本文的研究目的 | 第18-19页 |
| 1.3.2 技术路线与研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 掺杂氢化硅薄膜的制备与表征 | 第21-29页 |
| 2.1 薄膜的生长与沉积技术 | 第21-24页 |
| 2.1.1 薄膜的生长 | 第21页 |
| 2.1.2 薄膜沉积技术 | 第21-24页 |
| 2.2 掺杂氢化硅薄膜的表征方法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 拉曼散射谱 | 第24-25页 |
| 2.2.2 傅里叶红外吸收谱 | 第25-26页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第26页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 | 第26页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.2.6 高分辨透射电子显微镜(HRTEM) | 第26-27页 |
| 2.2.7 椭偏仪 | 第27页 |
| 2.2.8 电阻测试及电导率计算 | 第27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 轻掺硼氢化非晶/纳米晶硅薄膜研究 | 第29-48页 |
| 3.1 轻掺硼a/nc-Si：H薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 3.2 轻掺硼a/nc-Si：H薄膜的微观结构特性 | 第30-35页 |
| 3.3 轻掺硼a/nc-Si：H薄膜的光学性能 | 第35-38页 |
| 3.4 轻掺硼a/nc-Si：H薄膜的电学性能 | 第38-39页 |
| 3.5 衬底温度对硼轻掺杂a/nc-Si：H薄膜的影响 | 第39-43页 |
| 3.6 氢气流量对硼轻掺杂a/nc-Si：H薄膜的影响 | 第43-47页 |
| 3.7 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 掺CdTe氢化非晶硅薄膜制备与研究 | 第48-66页 |
| 4.1 a-Si_(1-x)(CdTe)_x：H薄膜的制备与表征 | 第48-55页 |
| 4.1.1 薄膜样品制备 | 第48-49页 |
| 4.1.2 薄膜微观形貌分析 | 第49-51页 |
| 4.1.3 X光电子能谱(XPS) | 第51-53页 |
| 4.1.4 XRD与拉曼光谱分析 | 第53-55页 |
| 4.2 a-Si_(1-x)(CdTe)_x：H薄膜光学特性分析 | 第55-58页 |
| 4.2.1 薄膜的折射率与吸收系数 | 第55-57页 |
| 4.2.2 薄膜的光学带隙 | 第57-58页 |
| 4.2.3 紫外可见光透射谱 | 第58页 |
| 4.3 薄膜电学特性测试及分析 | 第58-60页 |
| 4.4 热退火对薄膜性能的影响 | 第60-64页 |
| 4.4.1 掺CdTe氢化非晶硅薄膜退火工艺研究 | 第60-61页 |
| 4.4.2 热退火对薄膜微观结构的影响 | 第61-64页 |
| 4.4.3 热退火对薄膜光学性能的影响 | 第64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74页 |
