| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 ZnO的结构和基本性质 | 第12-14页 |
| 1.2 ZnO的能带调节 | 第14-18页 |
| 1.2.1 等价阳离子取代 | 第14-17页 |
| 1.2.2 等价阴离子取代 | 第17-18页 |
| 1.2.3 等价阴阳离子共掺取代 | 第18页 |
| 1.3 量子限制斯塔克效应 | 第18-19页 |
| 1.4 非极性材料的优点及缺点 | 第19-20页 |
| 1.4.1 非极性材料的优点 | 第19页 |
| 1.4.2 非极性材料的缺点 | 第19-20页 |
| 1.5 本课题的选题思路和主要研究内容 | 第20-23页 |
| 1.5.1 选题背景 | 第20-21页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 薄膜材料的制备工艺及分析测试方法 | 第23-36页 |
| 2.1 薄膜的生长技术简介 | 第23-26页 |
| 2.1.1 薄膜物理气相沉积 | 第23-24页 |
| 2.1.2 薄膜化学气相沉积 | 第24-25页 |
| 2.1.3 常见的薄膜外延生长技术 | 第25-26页 |
| 2.2 脉冲激光沉积(PLD)技术[13,45] | 第26-29页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积(PLD)概述 | 第26-27页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积(PLD)沉积设备简介 | 第27-29页 |
| 2.3 非极性面ZnOS薄膜的制备工艺 | 第29-30页 |
| 2.4 非极性面ZnOS薄膜的分析测试方法 | 第30-36页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.4.2 高分辨率X射线衍射 | 第31-33页 |
| 2.4.3 紫外-可见分光光度计 | 第33页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱 | 第33-34页 |
| 2.4.5 二次离子质谱 | 第34-36页 |
| 第3章 非极性a面取向ZnOS薄膜的制备及性能研究 | 第36-46页 |
| 3.1 样品的制备 | 第36-37页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第37-45页 |
| 3.2.1 氧压对ZnOS薄膜结构的影响 | 第37-42页 |
| 3.2.2 非极性a面取向ZnOS薄膜的表面形貌 | 第42-43页 |
| 3.2.3 氧压对ZnOS薄膜光学性能的影响 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 非极性m面取向ZnOS薄膜的制备及性能研究 | 第46-56页 |
| 4.1 样品制备 | 第46页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第46-54页 |
| 4.2.1 衬底温度对ZnOS薄膜结构的影响 | 第46-52页 |
| 4.2.2 衬底温度对m面ZnOS薄膜表面形貌的影响 | 第52页 |
| 4.2.3 衬底温度对m面ZnOS薄膜成分的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.4 衬底温度对m面ZnOS薄膜光学性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 在ZnO缓冲层上制备非极性a面及m面ZnOS薄膜及其性能研究 | 第56-63页 |
| 5.1 样品制备 | 第56-57页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第57-62页 |
| 5.2.1 衬底温度对ZnOS薄膜结构的影响 | 第57-61页 |
| 5.2.2 衬底温度对ZnOS薄膜表面的影响 | 第61页 |
| 5.2.3 衬底温度对ZnOS薄膜光学带隙的影响 | 第61-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 附录 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
