| 中文摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 复合半导体材料研究进展 | 第12-21页 |
| 1.2.1 材料的复合效应 | 第12-13页 |
| 1.2.2 复合半导体材料复合方式 | 第13-21页 |
| 1.3 无机-有机复合半导体研究中面临的问题 | 第21-22页 |
| 1.4 本文主要内容与创新点 | 第22-24页 |
| 1.4.1 主要内容 | 第22-23页 |
| 1.4.2 创新点 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-32页 |
| 第二章 高压下复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2的稳定性 | 第32-42页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2多晶陶瓷体制备 | 第32-35页 |
| 2.2.1 试剂 | 第32页 |
| 2.2.2 仪器 | 第32页 |
| 2.2.3 多晶陶瓷体的制备 | 第32-35页 |
| 2.3 复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2多晶陶瓷体稳定性研究 | 第35-39页 |
| 2.3.1 (C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2的热分析结果 | 第35-36页 |
| 2.3.2 (C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2多晶陶瓷体的稳定性 | 第36-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2的电输运性能研究 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 高等静压电输运性能原位测试平台 | 第43-44页 |
| 3.3 高等静压电输运性能原位测试 | 第44-48页 |
| 3.3.1 高等静压下样品I-V曲线的原位测试 | 第44-45页 |
| 3.3.2 复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)_2N_2I_2多晶块体对压力的动态响应特性 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 复合半导体(C_4H_9-C_5H_4)N_2I_2的晶体生长新方法探索 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 实验方法 | 第53-59页 |
| 4.2.1 各向异性高压下的晶体生长 | 第53-55页 |
| 4.2.2 各向同性高等静压下的结晶过程 | 第55-59页 |
| 4.3 高压下复合半导体的结晶习性研究 | 第59-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 本文主要结论 | 第66页 |
| 工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和申请的专利 | 第70-71页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第71页 |
