| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 选题依据 | 第8-11页 |
| 1.2.1 课题研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2.2 课题研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.3 课题研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第11页 |
| 1.4 本文的章节安排 | 第11-14页 |
| 第2章 热电材料 | 第14-24页 |
| 2.1 热电材料概述 | 第14页 |
| 2.2 热电现象的三个基本效应 | 第14-17页 |
| 2.3 热电材料基本参数 | 第17-21页 |
| 2.4 GaN基半导体材料优点 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 理论基础与计算方法 | 第24-34页 |
| 3.1 第一性原理计算 | 第24页 |
| 3.2 基本近似 | 第24-25页 |
| 3.2.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第25页 |
| 3.2.2 Hartree-Fock近似 | 第25页 |
| 3.3 密度泛函理论 | 第25-28页 |
| 3.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 3.3.2 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 3.3.3 交换关联泛函 | 第27-28页 |
| 3.4 玻尔兹曼输运理论 | 第28-30页 |
| 3.5 本文采用的计算软件 | 第30-32页 |
| 3.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 第4章 GaN本征半导体电子结构计算 | 第34-46页 |
| 4.1 理论模型 | 第34-35页 |
| 4.2 计算方法 | 第35-38页 |
| 4.3 结果分析 | 第38-44页 |
| 4.3.1 晶格常数 | 第38-39页 |
| 4.3.2 电荷密度 | 第39-40页 |
| 4.3.3 能带 | 第40页 |
| 4.3.4 态密度 | 第40-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 GaN基半导体材料热电性能分析 | 第46-54页 |
| 5.1 N型掺杂GaN热电性能分析 | 第46-50页 |
| 5.1.1 性能计算参数设置 | 第46-47页 |
| 5.1.2 输运与热电特性 | 第47-50页 |
| 5.2 P型掺杂GaN热电性能分析 | 第50-52页 |
| 5.2.1 性能计算参数设置 | 第50页 |
| 5.2.2 输运与热电特性 | 第50-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |