| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 单晶硅的制备方法及工艺路线 | 第8-10页 |
| 1.2.1 单晶硅的制备方法 | 第8-9页 |
| 1.2.2 直拉单晶硅的生产工艺路线 | 第9-10页 |
| 1.3 直拉单晶硅的发展趋势 | 第10-13页 |
| 1.4 熔体-坩埚边界层的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.5 本文研究意义及内容 | 第14-15页 |
| 第二章 熔体-坩埚边界层的数值模拟 | 第15-23页 |
| 2.1 直拉单晶硅模拟软件 | 第15-16页 |
| 2.1.1 CGSim软件介绍 | 第15页 |
| 2.1.2 数值模拟 | 第15-16页 |
| 2.2 生产工艺参数对单晶硅生产的影响 | 第16-19页 |
| 2.2.1 埚转对单晶硅生产的影响 | 第17页 |
| 2.2.2 晶转对单晶硅生产的影响 | 第17-19页 |
| 2.2.3 氩气流速单晶硅生产的影响 | 第19页 |
| 2.3 模型设置条件 | 第19-21页 |
| 2.4 熔体-坩埚边界层的取值 | 第21-23页 |
| 第三章 埚转对熔体-坩埚边界层的影响 | 第23-31页 |
| 3.1 坩埚转数对熔体内部演变过程的影响 | 第23-25页 |
| 3.2 坩埚转数对氧熔体-坩埚边界层与晶体氧含量的影响 | 第25-27页 |
| 3.3 最佳坩埚转数的确定 | 第27-30页 |
| 3.3.1 坩埚转数增大后熔体-坩埚边界层的演变过程 | 第27-28页 |
| 3.3.2 坩埚转数对晶体应力的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.3 坩埚转数对晶体氧含量的影响 | 第29页 |
| 3.3.4 坩埚转数对纵向温度梯度的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.5 坩埚转数对加热器总功率的影响 | 第30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 氩气流速对熔体-坩埚边界层的影响 | 第31-40页 |
| 4.1 氩气流速对熔体对流的演变过程的影响 | 第31-32页 |
| 4.2 氩气流速对熔体-坩埚边界层与晶体氧含量的影响 | 第32-36页 |
| 4.3 最佳氩气流速的确定 | 第36-39页 |
| 4.3.1 氩气流速对熔体-坩埚边界层的影响 | 第36页 |
| 4.3.2 氩气流速对晶体氧含量的影响 | 第36-37页 |
| 4.3.3 氩气流速对固液界面高度的影响 | 第37-38页 |
| 4.3.4 氩气流速对加热器总功率的影响 | 第38-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 结论与展望 | 第40-42页 |
| 5.1 总结 | 第40-41页 |
| 5.2 展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 个人简介 | 第49页 |
