| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-42页 |
| 1.1 稀磁半导体 | 第10-12页 |
| 1.1.1 引言 | 第10页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的发展历程 | 第10-12页 |
| 1.2 四氧化三钴的磁学性质研究 | 第12-14页 |
| 1.2.1 四氧化三钴的简介 | 第12-13页 |
| 1.2.2 四氧化三钴的磁学性质的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨烯简介 | 第14-20页 |
| 1.3.1 石墨烯的结构及性质 | 第15-17页 |
| 1.3.2 石墨烯的制备方法 | 第17-19页 |
| 1.3.3 石墨烯与纳米级氧化物半导体的复合材料 | 第19-20页 |
| 1.4 过渡金属掺杂氧化锌基稀磁半导体 | 第20-29页 |
| 1.4.1 过渡金属掺杂氧化锌基稀磁半导体的发展概况 | 第20-25页 |
| 1.4.2 脉冲激光沉积法制备的过渡金属掺杂氧化锌薄膜稀磁半导体 | 第25-29页 |
| 参考文献 | 第29-42页 |
| 第二章 实验表征方法及原理 | 第42-52页 |
| 2.1 同步辐射X射线吸收精细结构技术 | 第42-49页 |
| 2.1.1 X射线吸收精细结构技术的发展历程 | 第44页 |
| 2.1.2 EXAFS基本原理及数据分析 | 第44-48页 |
| 2.1.3 X射线吸收近边结构技术简介 | 第48页 |
| 2.1.4 X射线吸收精细结构技术的实验手段 | 第48-49页 |
| 2.2 X射线光电子能谱技术 | 第49-50页 |
| 2.3 磁性测量 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 利用石墨烯调控四氧化三钴稀磁半导体的磁性 | 第52-64页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 实验方法及制备方案 | 第53-55页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第53-54页 |
| 3.2.2 表征手段 | 第54-55页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第55-60页 |
| 3.3.1 所制备的样品的结构与形貌 | 第55-56页 |
| 3.3.2 磁性测试与分析 | 第56-57页 |
| 3.3.3 拉曼、X射线光电子能谱及X射线吸收近边谱分析 | 第57-59页 |
| 3.3.4 磁性机理解释 | 第59-60页 |
| 3.4 小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 第四章 共掺杂(铬、铜、锂)调控钴原子在钴掺杂的氧化锌磁性半导体中的分布 | 第64-74页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 实验 | 第65页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第65-69页 |
| 4.3.1 样品的X射线衍射结果分析 | 第65-66页 |
| 4.3.2 样品的X射线吸收扩展边谱分析 | 第66-67页 |
| 4.3.3 样品的X射线吸收近边谱及X射线光电子能谱分析 | 第67-69页 |
| 4.3.4 机理解释 | 第69页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第76页 |
