| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 ITO的发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2 ITO的结构与机理 | 第10-12页 |
| 1.3 ITO的应用 | 第12-13页 |
| 2 ITO薄膜制备及测试方法 | 第13-24页 |
| 2.1 ITO薄膜制备方法 | 第13-16页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第13-14页 |
| 2.1.2 真空蒸发法 | 第14-16页 |
| 2.2 空心阴极放电离子镀原理 | 第16-19页 |
| 2.2.1 低压气体放电理论 | 第16-17页 |
| 2.2.2 HCD法原理及HCD设备 | 第17-19页 |
| 2.3 ITO薄膜的测试方法 | 第19-24页 |
| 2.3.1 方块电阻(Rs)的测试 | 第19-20页 |
| 2.3.2 穿透率T%的测试 | 第20-21页 |
| 2.3.3 ITO薄膜厚度测试方法 | 第21-22页 |
| 2.3.4 ITO薄膜微观形貌测试 | 第22-24页 |
| 3 HCD法制备ITO薄膜 | 第24-36页 |
| 3.1 GaN基LED结构 | 第24-25页 |
| 3.1.1 GaN基LED制造流程 | 第24-25页 |
| 3.1.2 GaN基LED重要性能参数 | 第25页 |
| 3.2 不同厚度ITO薄膜性能差异 | 第25-27页 |
| 3.3 不同退火条件对ITO性能影响 | 第27-31页 |
| 3.3.1 ITO薄膜退火作用 | 第27-28页 |
| 3.3.2 不同退火条件对ITO薄膜性能影响 | 第28-31页 |
| 3.4 不同蒸发条件对ITO薄膜影响 | 第31-36页 |
| 4 HCD法制备ITO薄膜与E-Beam法制备ITO薄膜性能差异及其披覆性研究 | 第36-44页 |
| 4.1 HCD法制备ITO薄膜与E-Beam法制备ITO薄膜性能差异 | 第36-37页 |
| 4.2 HCD法制备ITO薄膜披覆性研究 | 第37-44页 |
| 4.2.1 HCD法制备ITO薄膜披覆异常分布 | 第37-40页 |
| 4.2.2 HCD法制备ITO薄膜搭配问题解决 | 第40-42页 |
| 4.2.3 HCD法制备ITO薄膜搭配问题其他解决方案 | 第42-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
