| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第11页 |
| 1.2 稀磁半导体的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 过渡金属掺杂GaN团簇的相关研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 过渡金属掺杂ZnTe团簇的相关研究进展 | 第13页 |
| 1.5 本文主要的研究目的和研究内容 | 第13-15页 |
| 2 理论基础与计算方法 | 第15-19页 |
| 2.1 第一性原理 | 第15页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第15-17页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第15-16页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第16页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第16-17页 |
| 2.3 交换相关泛函 | 第17-18页 |
| 2.3.1 局域密度近似泛函(LDA) | 第17页 |
| 2.3.2 广义梯度近似泛函(GGA) | 第17-18页 |
| 2.4 本论文中所使用的计算软件 | 第18-19页 |
| 3 Cr掺杂Ga_(12)N_(12)团簇的结构和电磁性理论研究 | 第19-31页 |
| 3.1 引言 | 第19-20页 |
| 3.2 计算方法 | 第20页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第20-29页 |
| 3.3.1 纯Ga_(12)N_(12)的结构和性质 | 第20-21页 |
| 3.3.2 单掺杂Ga_(12)N_(12)团簇 | 第21-24页 |
| 3.3.3 双掺杂Ga_(12)N_(12)团簇 | 第24-29页 |
| 3.4 结论 | 第29-31页 |
| 4 Mn掺杂Zn_(12)Te_(12)团簇的结构和电磁性理论研究 | 第31-43页 |
| 4.1 引言 | 第31页 |
| 4.2 计算方法 | 第31-32页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第32-41页 |
| 4.3.1 纯Zn_(12)Te_(12)团簇的结构与性质 | 第32-33页 |
| 4.3.2 单掺杂Zn_(12)Te_(12)团簇 | 第33-36页 |
| 4.3.3 双掺杂Zn_(12)Te_(12)团簇 | 第36-41页 |
| 4.4 结论 | 第41-43页 |
| 结论 | 第43-45页 |
| 致谢 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 附录 | 第54页 |
