| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 1.1 研究的背景 | 第10页 |
| 1.2 本文研究的目的 | 第10-11页 |
| 1.3 研究结构安排 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-30页 |
| 2.1 引言 | 第12页 |
| 2.2 直拉单晶硅中的本征点缺陷 | 第12-14页 |
| 2.3 直拉单晶硅中的氧 | 第14-19页 |
| 2.3.1 直拉单晶硅中氧的引入 | 第14-15页 |
| 2.3.2 氧的基本性质 | 第15-18页 |
| 2.3.3 硅中氧浓度的测量 | 第18-19页 |
| 2.4 直拉单晶硅中的氧沉淀 | 第19-25页 |
| 2.4.1 氧沉淀的形核 | 第19-21页 |
| 2.4.2 氧沉淀的长大 | 第21-23页 |
| 2.4.3 氧沉淀诱生缺陷 | 第23页 |
| 2.4.4 影响氧沉淀形成的因素 | 第23-25页 |
| 2.5 内吸杂技术 | 第25-26页 |
| 2.5.1 高-低-高三步退火工艺 | 第25页 |
| 2.5.2 MDZ(magic denuded zone)工艺 | 第25-26页 |
| 2.5.3 硅外延法 | 第26页 |
| 2.6 <311>直拉硅的热氧化 | 第26-30页 |
| 2.6.1 <311>直拉硅热氧化方法 | 第27页 |
| 2.6.2 <311>直拉硅表面 | 第27-28页 |
| 2.6.3 <311>直拉硅的氧化速率 | 第28-30页 |
| 第三章 实验样品和设备 | 第30-36页 |
| 3.1 实验样品的选取 | 第30-31页 |
| 3.1.1 样品的选取 | 第30页 |
| 3.1.2 实验样品的制备和处理 | 第30-31页 |
| 3.2 实验设备 | 第31-36页 |
| 第四章 高温预处理对硅片在MDZ工艺中氧沉淀的影响 | 第36-52页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 实验 | 第36-38页 |
| 4.3 高温预处理对硅片在MDZ工艺中氧沉淀形核的影响 | 第38-39页 |
| 4.4 高温预处理中沾污引入促进氧沉淀机制的排除 | 第39-42页 |
| 4.5 高温预处理对基于不同气氛下的快速热处理的MDZ工艺中氧沉淀的影响 | 第42-45页 |
| 4.6 高温预处理促进低-高两步退火和MDZ工艺中氧沉淀形成的普遍性验证 | 第45-49页 |
| 4.6.1 高温预处理促进低-高两步退火工艺中氧沉淀形成的普遍性验证 | 第45-47页 |
| 4.6.2 高温预处理促进MDZ工艺中氧沉淀形成的普遍性验证 | 第47-49页 |
| 4.7 小结 | 第49-52页 |
| 第五章 <311>直拉硅片的氧沉淀及内吸杂工艺 | 第52-60页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 实验 | 第52-53页 |
| 5.2.1 实验样品 | 第52页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第52-53页 |
| 5.3 制备的硅片的XRD分析结果 | 第53-54页 |
| 5.4 <311>硅片和<100>硅片在低-高两步退火工艺中的氧沉淀行为对比结果 | 第54-55页 |
| 5.5 <311>硅片和<100>硅片在MDZ工艺中的氧沉淀行为对比结果 | 第55-58页 |
| 5.6 <311>硅片和<100>硅片中氧在1000℃的扩散速率对比结果 | 第58-59页 |
| 5.7 小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 个人简历 | 第70-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及取得的其他研究成果 | 第72页 |
