溶液法制备硅纳米线研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 纳米半导体材料及硅纳米线 | 第9-10页 |
| 1.2 硅纳米线制备 | 第10-14页 |
| 1.3 硅纳米线的性质及应用 | 第14-19页 |
| 1.3.1 硅纳米线的性质 | 第14-17页 |
| 1.3.2 硅纳米线的应用 | 第17-19页 |
| 1.4 本文研究的内容及意义 | 第19-20页 |
| 2 硅纳米线研究综述 | 第20-27页 |
| 2.1 溶液电解法的研究 | 第20-22页 |
| 2.1.1 硅片刻蚀方相的研究 | 第20页 |
| 2.1.2 刻蚀溶液浓度的研究 | 第20-22页 |
| 2.2 硅纳米线的最近研究进展 | 第22-25页 |
| 2.3 硅纳米表征简介 | 第25-27页 |
| 3 硅纳米线的制备及测试 | 第27-32页 |
| 3.1 实验原理 | 第27-29页 |
| 3.2 实验步骤 | 第29-31页 |
| 3.2.1 硅片的清洗 | 第29页 |
| 3.2.2 样品的刻蚀 | 第29-31页 |
| 3.3 实验注意事项 | 第31页 |
| 3.4 样品测试 | 第31-32页 |
| 4 实验结果的分析及讨论 | 第32-43页 |
| 4.1 制备条件对硅纳米线表面形貌的影响 | 第32-37页 |
| 4.1.1 腐蚀后样品的特征 | 第32-33页 |
| 4.1.2 腐蚀温度对硅纳米线制备的影响 | 第33-34页 |
| 4.1.3 50℃腐蚀后对硅纳米线制备的影响 | 第34-36页 |
| 4.1.4 刻蚀时间对制备硅纳米线的影响 | 第36-37页 |
| 4.2 刻蚀电流对制备硅纳米线的影响 | 第37-43页 |
| 4.2.1 小电流刻蚀对制备硅纳米线的影响 | 第37-39页 |
| 4.2.2 大电流刻蚀对制备硅纳米线的影响 | 第39页 |
| 4.2.3 改变电流方向对制备硅纳米线的影响 | 第39-43页 |
| 5 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 个人简历、在校期间发表的学术论文与研究成果 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
