| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第15-32页 |
| 1.1 Si基GaN材料与器件 | 第15-21页 |
| 1.1.1 GaN的基本性质与应用 | 第15-17页 |
| 1.1.2 Si基GaN器件 | 第17-19页 |
| 1.1.3 GaN/Si异质结 | 第19-21页 |
| 1.2 硅纳米孔柱阵列（Si-NPA） | 第21-22页 |
| 1.3 GaN/Si-NPA异质结构 | 第22-23页 |
| 1.4 GaN/Si-NPA器件面临的主要问题 | 第23-24页 |
| 1.5 本课题的研究思路与内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 2 GaN/Si-NPA异质结构的制备与表征 | 第32-58页 |
| 2.1 GaN/Si-NPA的制备工艺 | 第32-33页 |
| 2.2 催化剂的作用 | 第33-34页 |
| 2.3 不同生长条件对GaN形貌及结构影响 | 第34-43页 |
| 2.3.1 不同生长温度所得GaN/Si-NPA | 第34-38页 |
| 2.3.2 不同氨气分压下沉积的GaN/Si-NPA | 第38-42页 |
| 2.3.3 Si-NPA上纳米锥串与纳米线的获得 | 第42-43页 |
| 2.4 GaN生长机制的探讨 | 第43-46页 |
| 2.5 实验重复性的改进 | 第46-48页 |
| 2.5.1 Ga源的收缩及克服 | 第46-47页 |
| 2.5.2 Ga源的上爬及克服 | 第47-48页 |
| 2.6 GaN/Si-NPA的光学性质 | 第48-52页 |
| 2.7 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 3 GaN/Si-NPA纳米异质结LED的构成与电致发光特性 | 第58-78页 |
| 3.1 GaN/Si-NPA纳米异质结LED的构成 | 第58-60页 |
| 3.2 不同形貌的GaN对GaN/Si-NPA纳米异质结LED电学性质的影响 | 第60-61页 |
| 3.3 800℃生长的GaN/Si-NPA纳米异质结LED的研究 | 第61-68页 |
| 3.4 950℃生长的GaN/Si-NPA纳米异质结LED的研究 | 第68-75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 4 GaN/Si-NPA异质结构的界面调控与电致发光 | 第78-115页 |
| 4.1 Si-NPA的老化 | 第78-85页 |
| 4.1.1 Si-NPA的空气退火 | 第79页 |
| 4.1.2 老化Si-NPA的PL特征 | 第79-82页 |
| 4.1.3 老化Si-NPA的瞬态PL谱 | 第82-84页 |
| 4.1.4 老化Si-NPA的变激发波长PL | 第84-85页 |
| 4.2 Si-NPA的氧化处理 | 第85-90页 |
| 4.2.1 热氧化Si-NPA的XRD表征 | 第86-87页 |
| 4.2.2 氧化Si-NPA的拉曼表征 | 第87-88页 |
| 4.2.3 氧化Si-NPA的PL谱 | 第88-90页 |
| 4.3 Si-NPA的热氨化处理 | 第90-95页 |
| 4.3.1 Si-NPA热氨化后的XRD表征 | 第91-92页 |
| 4.3.2 Si-NPA热氨化后的拉曼表征 | 第92-93页 |
| 4.3.3 Si-NPA热氨化后的PL谱 | 第93-95页 |
| 4.4 其他常见有机溶剂对Si-NPA的钝化作用 | 第95-96页 |
| 4.5 Si-NPA的氧化处理对GaN/Si-NPA纳米异质结LED的影响 | 第96-102页 |
| 4.5.1 Si-NPA氧化对GaN/Si-NPA纳米异质结LED的电输运特性影响 | 第96-101页 |
| 4.5.2 Si-NPA氧化对GaN/Si-NPA纳米异质结LED的EL性能的影响 | 第101-102页 |
| 4.6 Si-NPA氨化对GaN/Si-NPA纳米异质结LED的影响 | 第102-108页 |
| 4.6.1 Si-NPA氨化对GaN/Si-NPA纳米异质结LED的电输运特性的影响 | 第103-106页 |
| 4.6.2 Si-NPA氨化对GaN/Si-NPA纳米异质结LED的EL性能的影响 | 第106-108页 |
| 4.7 本章小结 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-115页 |
| 5 结论及展望 | 第115-119页 |
| 博士期间完成的论文情况 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120页 |
