| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 氧化镓的概述 | 第10-11页 |
| 1.2 氧化镓的性质 | 第11-13页 |
| 1.2.1 氧化镓的结构特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3的光学和电学性质 | 第12-13页 |
| 1.3 Ga_2O_3材料生长研究进展 | 第13-20页 |
| 1.3.1 β-Ga_2O_3材料生长 | 第13-16页 |
| 1.3.2 ε-Ga_2O_3材料生长 | 第16-18页 |
| 1.3.3 α-Ga_2O_3材料生长 | 第18-20页 |
| 1.4 Ga_2O_3材料器件制备的研究进展 | 第20-22页 |
| 1.4.1 紫外探测器 | 第20-21页 |
| 1.4.2 场效应晶体管 | 第21-22页 |
| 1.4.3 深紫外透明导电薄膜 | 第22页 |
| 1.5 课题的选取及研究内容 | 第22-24页 |
| 2 Ga_2O_3薄膜的制备及测试分析方法 | 第24-29页 |
| 2.1 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第24-26页 |
| 2.2 本文Ga_2O_3薄膜的测试分析方法 | 第26-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.2.2 紫外-可见分光光度计 | 第27-29页 |
| 3 6H-SiC衬底上ε-Ga_2O_3薄膜的制备及特性的研究 | 第29-40页 |
| 3.1 ε-Ga_2O_3薄膜的制备 | 第29-32页 |
| 3.1.1 衬底的选取 | 第29页 |
| 3.1.2 金属有机源的选取 | 第29-30页 |
| 3.1.3 SiC衬底上Ga_2O_3薄膜的制备过程 | 第30-31页 |
| 3.1.4 Ga_2O_3薄膜的退火处理 | 第31-32页 |
| 3.2 退火温度对Ga_2O_3薄膜结构特性的影响 | 第32-36页 |
| 3.2.1 Ga_2O_3薄膜的结构特性分析 | 第32-34页 |
| 3.2.2 Ga_2O_3薄膜外延关系分析 | 第34-36页 |
| 3.3 Ga_2O_3薄膜的表面形貌分析 | 第36-38页 |
| 3.3.1 Ga_2O_3薄膜的SEM分析 | 第36-37页 |
| 3.3.2 Ga_2O_3薄膜的AFM分析 | 第37-38页 |
| 3.4 本章总结 | 第38-40页 |
| 4 ε-Ga_2O_3薄膜的氮化处理及Zn掺杂性质研究 | 第40-52页 |
| 4.1 蓝宝石衬底上ε-Ga_2O_3薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 4.1.1 蓝宝石衬底的选取及介绍 | 第40-41页 |
| 4.1.2 ε-Ga_2O_3薄膜的制备及其氮化处理 | 第41页 |
| 4.2 ε-Ga_2O_3薄膜的特性表征 | 第41-45页 |
| 4.2.1 氮化处理对ε-Ga_2O_3薄膜结构特性的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.2 氮化处理对ε-Ga_2O_3薄膜组分的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.3 氮化处理对ε-Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.4 氮化处理对ε-Ga_2O_3薄膜光学特性的影响 | 第44-45页 |
| 4.3 Zn源流量对ε-Ga_2O_3薄膜特性的影响 | 第45-50页 |
| 4.3.1 Zn掺杂ε-Ga_2O_3薄膜的制备 | 第45-46页 |
| 4.3.2 Zn源流量对ε-Ga_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.3 Zn源流量对ε-Ga_2O_3薄膜光学特性的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.4 Zn源流量对ε-Ga_2O_3薄膜电学特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
