当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
针对压电陶瓷迟滞环节的UDE控制方法研究
ZnS半导体薄膜材料可控制备与性能研究
基于溶胶凝胶法制备SnO2薄膜光电特性研究
单晶铜丝在半导体器件封装中的打线键合性能研究
蓝光荧光有机电致发光器件性能提高的研究
胶体半导体纳米晶消光系数的研究
用碳化稻壳电热冶金法制备超冶金级硅的研究
基于TCS230的LED测试系统研究
多输出LED驱动器的无源精确均流方法研究
纳米级电路分辨率增强技术及热点检测技术研究
大功率IGBT模块高可靠驱动及通信技术研究
IGBT失效分析技术
基于DMX512协议的LED解码芯片验证技术研究
IGBT功率模块并联技术研究
大功率碳化硅二极管和JFET模块的研究
AlGaN/GaN HEMTs器件的结构设计与可靠性研究
提高晶圆芯片利用率的LED多芯片封装混Bin设计
分布式大功率LED组件热场分析与优化设计
Ⅲ族氮化物的极化效应及其在光电子器件中的应用
In组分及温度对InGaN合金拉曼声子模影响及基于嵌段共聚物模板的GaN量子点生长
SAM型AlGaN日盲雪崩光电二极管的模拟与器件制备
TiO2纳米半导体材料的制备及其光探测性能
Ⅲ族氮化物紫光和近紫外LED的制备与研究
SiO2/SiC界面过渡区及其等离子体钝化工艺研究
石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究
石墨烯的CVD法制备及其H2刻蚀现象研究
超声提高SU-8光刻胶/金属基底界面结合强度研究
硅片减薄加工磨削力在线测量装置研究
高温PLD制备Al掺杂ZnO薄膜及其性质研究
爆轰合成离子掺杂纳米二氧化钛光催化研究
全自动激光刻印机的研究与应用
电化学刻蚀法制备锌基超疏水/超疏油表面
软脆碲镉汞晶体绿色环保化学机械抛光研究
三族氮化物极化工程在光电器件和隧穿器件的应用
氧化镓生长取向和形貌的控制研究
n-ZnO/ZnMgO/p-GaN载流子传输机制和VO2薄膜太赫兹光谱研究
考虑光刻的金属填充对关键面积的影响分析
有机光电器件的电极修饰及其性能表征
图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬底制备
有机电致发光和有机光伏器件中的电极修饰
硅铝锌三元合金精炼去除多晶硅中B杂质研究
基于CFD的等离子体刻蚀数值模拟与参数优化
硅基薄膜在新型器件中的应用
宽带隙氧化锌和氧化镓的干法刻蚀研究
强流脉冲电子束硅材料表面改性和数值模拟
基于Anylogic的可重入液晶产品生产系统仿真分析
ZnO基稀磁半导体磁性机制的实验研究与数值模拟
NIKON SCANNER同期精度控制方法的研究与实现
半导体晶圆厂气体监控系统设计
基于RBF神经网络JK750机过滤器流量的预测
上一页
[66]
[67]
[68]
[69]
[70]
下一页
