图形化SiC衬底及新型图形化蓝宝石衬底制备
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 SiC的基本性质 | 第9-13页 |
| 1.1.1 SiC的基本结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 SiC的物理和化学性质 | 第11-12页 |
| 1.1.3 SiC的光学性质和电学性质 | 第12-13页 |
| 1.2 SiC衬底的发展 | 第13页 |
| 1.3 SiC材料的刻蚀 | 第13-17页 |
| 1.3.1 湿法刻蚀 | 第13-14页 |
| 1.3.2 干法刻蚀 | 第14-17页 |
| 1.4 图形化蓝宝石衬底的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第18-19页 |
| 2 刻蚀机理与仪器及表征 | 第19-29页 |
| 2.1 仪器 | 第19-24页 |
| 2.1.1 光刻 | 第19-20页 |
| 2.1.2 电子束蒸发 | 第20-22页 |
| 2.1.3 ICP刻蚀机 | 第22-24页 |
| 2.2 表征 | 第24-29页 |
| 2.2.1 膜厚仪 | 第24-26页 |
| 2.2.2 金相显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第27-29页 |
| 3 图形化SiC工艺研究 | 第29-48页 |
| 3.1 SF_6和O_2刻蚀SiC机理 | 第29页 |
| 3.2 实验流程 | 第29-33页 |
| 3.3 Si面SiC条形图形化实验与结果讨论 | 第33-40页 |
| 3.3.1 掩膜的选择 | 第33-34页 |
| 3.3.2 光刻实验 | 第34-35页 |
| 3.3.3 掩膜厚度实验 | 第35-36页 |
| 3.3.4 ICP功率源实验 | 第36-40页 |
| 3.4 C面SiC条形图形化实验与结果讨论 | 第40-44页 |
| 3.5 Si面SiC圆孔图形化实验与结果讨论 | 第44-48页 |
| 4 蓝宝石上图形化SiO_2工艺研究 | 第48-56页 |
| 4.1 SF_6和O_2刻蚀SiO_2机理 | 第48页 |
| 4.2 实验流程 | 第48-51页 |
| 4.3 SiO_2干法刻蚀与结果讨论 | 第51-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
