| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物半导体发展历史简介 | 第10-14页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物发展前沿及热点问题 | 第14-16页 |
| §1.2.1 InN及InGaN合金材料研究 | 第14-15页 |
| §1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点有源层生长与研究 | 第15-16页 |
| §1.3 Ⅲ族氮化物的MOCVD生长 | 第16-18页 |
| §1.4 研究内容及论文结构 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 InGaN合金薄膜拉曼光谱研究 | 第23-39页 |
| §2.1 引言 | 第23页 |
| §2.2 InGaN合金的MOCVD生长 | 第23-24页 |
| §2.3 InGaN合金In组分的测定 | 第24-26页 |
| §2.4 In_xGa_(1-x)N合金拉曼散射声子模式研究 | 第26-35页 |
| §2.4.1 常温下In组分对InGaN合金拉曼声子模式影响 | 第31-33页 |
| §2.4.2 变温下In组分对InGaN合金拉曼声子模式影响 | 第33-35页 |
| §2.5 本章总结 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 基于嵌段共聚物光刻法衬底的GaN量子点有源层生长及研究 | 第39-52页 |
| §3.1 引言 | 第39-40页 |
| §3.2 基于嵌段共聚物光刻方法衬底模板的制备 | 第40-41页 |
| §3.3 基于嵌段共聚物光刻模板的GaN量子点生长 | 第41-43页 |
| §3.4 基于嵌段共聚物光刻方法模板生长得到的GaN量子点结果 | 第43-49页 |
| §3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 结论与总结 | 第52-53页 |
| 硕士期间发表论文及参加学术会议 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
