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基于CFD的等离子体刻蚀数值模拟与参数优化

摘要第4-5页
英文摘要第5-6页
1 绪论第10-19页
    1.1 研究背景与意义第10-11页
    1.2 常用刻蚀方法及其原理第11-12页
        1.2.1 湿法刻蚀第11页
        1.2.2 干法刻蚀第11-12页
    1.3 几种常见的等离子体源第12-14页
    1.4 等离子体刻蚀设备及其工作原理第14-15页
    1.5 等离子体刻蚀研究进展第15-17页
        1.5.1 等离子体刻蚀国际研究现状第15-16页
        1.5.2 等离子体刻蚀国内研究现状第16-17页
    1.6 刻蚀质量评价第17页
    1.7 本文主要研究内容第17-19页
2 等离子体刻蚀的理论基础与方程求解第19-27页
    2.1 控制方程及其求解第19-21页
        2.1.1 流体模型第19-20页
        2.1.2 热传递模型第20页
        2.1.3 磁场模型第20-21页
    2.2 等离子体模型基本理论第21-27页
        2.2.1 放电形式第21-22页
        2.2.2 基本方程第22-23页
        2.2.3 电子漂移扩散近似第23页
        2.2.4 离子动量方程第23页
        2.2.5 离子迁移率第23-24页
        2.2.6 表面等离子体化学第24-27页
3 基于CFD的等离子体刻蚀模拟第27-45页
    3.1 基于CFD的ICP刻蚀模型第27-34页
        3.1.1 过程描述第27页
        3.1.2 主要控制方程第27-28页
        3.1.3 宏观腔室的气象反应机理第28-30页
        3.1.4 微观刻蚀的表面反应机理第30-34页
    3.2 跨尺度模型与模拟流程第34-35页
        3.2.1 跨尺度模型和模拟条件第34-35页
        3.2.2 实现流程第35页
    3.3 结果与讨论第35-43页
        3.3.1 宏观腔室结果分析第35-39页
        3.3.2 微观刻蚀结果分析第39-41页
        3.3.3 各个参数对微观刻蚀形貌的影响第41-43页
    3.4 刻蚀均匀性分析第43-44页
    3.5 本章小结第44-45页
4 基于代理模型的优化第45-59页
    4.1 试验设计方法第45-47页
        4.1.1 全因子设计第46页
        4.1.2 部分因子设计第46页
        4.1.3 中心复合设计第46-47页
        4.1.4 拉丁超立方设计第47页
    4.2 常用的近似模型第47-48页
        4.2.1 多项式响应面模型第47页
        4.2.2 径向基函数模型第47-48页
        4.2.3 Kriging模型第48页
    4.3 优化模型第48-50页
        4.3.1 优化目标第48-49页
        4.3.2 设计变量第49-50页
        4.3.3 约束函数第50页
        4.3.4 优化模型第50页
        4.3.5 误差分析第50页
    4.4 优化算例第50-57页
        4.4.1 全因子设计第50-54页
        4.4.2 拉丁超立方设计第54-57页
    4.5 结果验证与误差分析第57-58页
    4.6 本章小结第58-59页
结论第59-60页
参考文献第60-63页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第63-64页
致谢第64-65页

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