高温PLD制备Al掺杂ZnO薄膜及其性质研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 ZnO综述 | 第9-17页 |
| 1.1 ZnO的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO的光学性质 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO的电学性质 | 第11页 |
| 1.4 ZnO的应用 | 第11-13页 |
| 1.4.1 紫外光探测器 | 第11-12页 |
| 1.4.2 可与GaN互作缓冲层 | 第12页 |
| 1.4.3 制作表面声波器件 | 第12-13页 |
| 1.4.4 ZnO气敏元件 | 第13页 |
| 1.5 ZnO薄膜的制备技术 | 第13-17页 |
| 1.5.1 分子束外延(MBE) | 第13-14页 |
| 1.5.2 金属有机物气相化学沉积(MOCVD) | 第14页 |
| 1.5.3 纯锌膜氧化法 | 第14页 |
| 1.5.4 磁控溅射法 | 第14-16页 |
| 1.5.5 脉冲激光沉积法(PLD) | 第16页 |
| 1.5.6 溶胶—凝胶法 | 第16-17页 |
| 2 薄膜样品的制备与分析方法 | 第17-25页 |
| 2.1 薄膜样品的制备方法 | 第17-20页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD)技术的基本原理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积制备ZnO薄膜的工艺参数 | 第18-20页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第20-25页 |
| 2.2.1 X-射线衍射(XRD) | 第20-21页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第21-22页 |
| 2.2.3 透射光谱 | 第22-24页 |
| 2.2.4 四探针测量 | 第24-25页 |
| 3 生长温度对AZO薄膜性能的影响 | 第25-35页 |
| 3.1 AZO薄膜的制备 | 第25页 |
| 3.2 结果与分析 | 第25-34页 |
| 3.2.1 生长温度对薄膜表面形貌的影响 | 第25-27页 |
| 3.2.2 生长温度对薄膜结晶质量的影响 | 第27-30页 |
| 3.2.3 生长温度对薄膜光学性能的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.4 生长温度对薄膜电学性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 高温下氧分压对薄膜质量的影响 | 第35-42页 |
| 4.1 AZO薄膜的制备 | 第35页 |
| 4.2 结果与分析 | 第35-41页 |
| 4.2.1 氧分压对薄膜表面形貌的影响 | 第35-36页 |
| 4.2.2 氧分压对薄膜结晶质量的影响 | 第36-38页 |
| 4.2.3 氧分压对薄膜光学性质的影响 | 第38-41页 |
| 4.2.4 氧分压对薄膜电学性能的影响 | 第41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
