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Ⅲ族氮化物的极化效应及其在光电子器件中的应用

摘要第4-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第13-34页
    1.1 引言第13-15页
    1.2 Ⅲ族氮化物材料的基本结构和性质第15-19页
        1.2.1 Ⅲ族氮化物的基本结构第15-16页
        1.2.2 Ⅲ 族氮化物的极化效应第16-19页
    1.3 Ⅲ族氮化物材料的研究概况及存在的问题第19-22页
    1.4 极化效应对Ⅲ族氮化物半导体器件的影响第22-27页
        1.4.1 极化效应对Ⅲ族氮化物半导体器件的有利影响第22-25页
            1.4.1.1 极化对高电子迁移率晶体管性能的提高第23-24页
            1.4.1.2 极化增强肖特基势垒和欧姆接触第24-25页
        1.4.2 极化效应对Ⅲ族氮化物半导体器件的负面效应第25-27页
            1.4.2.1 极化对发光器件性能的负面影响第25-26页
            1.4.2.2 极化对探测器性能的负面影响第26-27页
            1.4.2.3 极化对光伏器件性能的负面影响第27页
    1.5 本文的工作第27-29页
    参考文献第29-34页
第二章 物理模型和数值算法第34-43页
    2.1 泊松方程和载流子连续方程第34-35页
    2.2 器件模拟中的常规物理模型第35-40页
        2.2.1 载流子统计模型第35-36页
        2.2.2 空间电荷不完全离化模型第36页
        2.2.3 载流子产生复合模型第36-39页
        2.2.4 迁移率模型第39-40页
    2.3 数值算法第40-42页
    参考文献第42-43页
第三章 Ⅲ族氮化物的极化掺杂第43-57页
    3.1 氮化物中的极化第43-44页
    3.2 极化诱导的Ga面和N面n型掺杂第44-52页
        3.2.1 二维电子气第44-49页
        3.2.2 三维电子气第49-52页
    3.3 极化诱导的Ga面和N面p型掺杂第52-54页
        3.3.1 二维空穴气第52-53页
        3.3.2 三维空穴气第53-54页
    3.4 本章小结第54-56页
    参考文献第56-57页
第四章 N面极化掺杂发光二极管(LED)第57-73页
    4.1 研究背景及意义第57-59页
    4.2 N面极化掺杂LED的结构和参数第59-60页
    4.3 N面极化掺杂LED的性能分析第60-69页
        4.3.1 N面LED极化掺杂的形成机理第62页
        4.3.2 电致发光光谱强度及功率-电压曲线第62-64页
        4.3.3 N面极化掺杂LED的能带结构第64-66页
        4.3.4 N面极化掺杂LED的电场分布第66-67页
        4.3.5 N面极化掺杂LED的电子-空穴浓度分布第67-68页
        4.3.6 N面极化掺杂LED的量子阱电子-空穴波函数分布第68-69页
    4.4 本章小结第69-71页
    参考文献第71-73页
第五章 极化在SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管中的应用第73-100页
    5.1 研究背景及意义第73-76页
    5.2 AlGaN SAM-APD的结构和参数第76-79页
    5.3 AlGaN SAM-APD的光电特性第79-87页
        5.3.1 能带结构第79-80页
        5.3.2 I-V特性及光电增益第80-82页
        5.3.3 电场分布第82-85页
        5.3.4 光谱特性第85-86页
        5.3.5 p型组分渐变AlGaN APD击穿电压和倍增因子第86-87页
    5.4 AlGaN SAM-APD的优化设计第87-95页
        5.4.1 p型层掺杂浓度及厚度的优化第87-88页
        5.4.2 nl型层掺杂浓度及厚度的优化第88-91页
        5.4.3 吸收层和倍增层的优化第91-94页
        5.4.4 缺陷浓度分布的影响及优化第94-95页
    5.5 本章小结第95-97页
    参考文献第97-100页
第六章 总结与展望第100-103页
致谢第103-104页
攻读博士学位期间发表的论文第104-105页

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