| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 雪崩光电二极管的基本原理以及主要参数 | 第13-15页 |
| 1.3.1 雪崩光电二极管的倍增因子M | 第13-14页 |
| 1.3.2 量子效率 | 第14页 |
| 1.3.3 响应度 | 第14-15页 |
| 1.3.4 响应速度 | 第15页 |
| 1.4 紫外雪崩光电二极管的研究现状 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 AlGaN日盲APD的设计与模拟 | 第19-40页 |
| 2.1 p-i-n结构的Ⅲ族氮化物APD的设计原理 | 第19-20页 |
| 2.2 SAM结构的氮化物APD的设计原理 | 第20-25页 |
| 2.3 SAM结构的AlGaN APD的模拟优化 | 第25-34页 |
| 2.3.1 SAM型AlGaNAPD的电场模拟 | 第25-32页 |
| 2.3.2 SAM型AlGaN APD的电流特性和光谱响应的模拟 | 第32-34页 |
| 2.4 p-i-n结构的AlGaN APD的模拟优化 | 第34-37页 |
| 2.4.1 p-i-n型AlGaN APD的电场模拟和优化 | 第34-35页 |
| 2.4.2 p-i-n型AlGaN APD的电流特性和光谱响应的模拟 | 第35-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 AlGaN日盲APD的制备 | 第40-46页 |
| 3.1 Ⅲ族氮化物APD器件的工艺难点 | 第40页 |
| 3.2 Ⅲ族氮化物APD器件的工艺优化 | 第40-43页 |
| 3.2.1 AlGaN材料的退火条件研究 | 第40-41页 |
| 3.2.2 刻蚀工艺的优化 | 第41-42页 |
| 3.2.3 双台面工艺 | 第42-43页 |
| 3.3 AlGaN日盲APD的制备过程 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 AlGaN日盲APD光谱响应的研究 | 第46-51页 |
| 4.1 SAM型AlGaN APD的光谱响应研究 | 第46-48页 |
| 4.2 SAM型与p-i-n型AlGaN APD的光谱响应对比与研究 | 第48-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
