强流脉冲电子束硅材料表面改性和数值模拟
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 电子束的发展 | 第9页 |
| 1.2 电子束加工特点 | 第9-10页 |
| 1.3 电子束与材料表面的相互作用机理 | 第10-11页 |
| 1.3.1 相互作用 | 第10-11页 |
| 1.3.2 能量转换 | 第11页 |
| 1.4 电子束表面改性的分类 | 第11-13页 |
| 1.4.1 能量的注入方式 | 第11-12页 |
| 1.4.2 表面的改性效果 | 第12-13页 |
| 1.5 强流脉冲电子束的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第14-15页 |
| 2 多晶硅的生产 | 第15-20页 |
| 2.1 硅的性质及用途 | 第15-16页 |
| 2.1.1 硅的性质 | 第15页 |
| 2.1.2 用途 | 第15-16页 |
| 2.2 冶金硅中的杂质 | 第16页 |
| 2.3 多晶硅提纯的方法 | 第16-19页 |
| 2.3.1 化学法 | 第17-18页 |
| 2.3.2 物理法 | 第18-19页 |
| 2.4 硅材料的吸杂 | 第19-20页 |
| 3 有限单元法的应用 | 第20-25页 |
| 3.1 有限元分析法简介 | 第20页 |
| 3.2 有限元软件——ANSYS | 第20-21页 |
| 3.3 ANSYS热分析 | 第21-23页 |
| 3.3.1 稳态热分析 | 第21-22页 |
| 3.3.2 瞬态热分析 | 第22-23页 |
| 3.3.3 热分析基本步骤 | 第23页 |
| 3.4 ANSYS热应力分析 | 第23-24页 |
| 3.4.1 直接耦合 | 第23页 |
| 3.4.2 间接耦合 | 第23-24页 |
| 3.5 收敛性问题 | 第24-25页 |
| 4 强流脉冲电子束硅材料表面改性 | 第25-41页 |
| 4.1 实验方法 | 第25页 |
| 4.2 HCPEB处理后的表面形貌 | 第25-35页 |
| 4.2.1 光镜下的表面形貌及熔坑密度分布 | 第25-32页 |
| 4.2.2 扫描电镜下的熔坑形貌 | 第32-33页 |
| 4.2.3 熔坑的轮廓形貌 | 第33-35页 |
| 4.3 HCPEB处理后的截面形貌 | 第35-36页 |
| 4.4 拉曼峰的红移 | 第36-40页 |
| 4.5 小结 | 第40-41页 |
| 5 强流脉冲电子束作用下硅的温度场和应力场模拟 | 第41-52页 |
| 5.1 温度场分析 | 第43-46页 |
| 5.2 应力场分析 | 第46-51页 |
| 5.3 小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
