| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 ZnO材料的结构和性能 | 第10-17页 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 ZnO的电学性质 | 第12-13页 |
| 1.1.3 ZnO的光学性质 | 第13-14页 |
| 1.1.4 ZnO的器件应用 | 第14-17页 |
| 1.2 Ga_2O_3材料简介 | 第17-25页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3的晶体结构 | 第19-20页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3的光电性质 | 第20-21页 |
| 1.2.3 Ga_2O_3的器件应用 | 第21-25页 |
| 2 刻蚀技术 | 第25-36页 |
| 2.1 湿法刻蚀简介 | 第25-26页 |
| 2.2 干法刻蚀简介 | 第26-33页 |
| 2.2.1 反应离子(RIE)刻蚀 | 第28-30页 |
| 2.2.2 电子回旋共振(ECR)刻蚀 | 第30-31页 |
| 2.2.3 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 | 第31-33页 |
| 2.3 ZnO和Ga_2O_3材料刻蚀研究现状 | 第33-36页 |
| 2.3.1 ZnO的刻蚀 | 第33-35页 |
| 2.3.2 Ga_2O_3的刻蚀 | 第35-36页 |
| 3 ZnO的刻蚀 | 第36-44页 |
| 3.1 实验 | 第36-37页 |
| 3.2 刻蚀结果与分析 | 第37-40页 |
| 3.2.1 ICP源功率对刻蚀速率的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.2 RF功率对刻蚀速率的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 腔室气压对刻蚀速率的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 ICP功率和RF功率对刻蚀粗糙度的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 不同刻蚀条件对薄膜光致发光谱的影响 | 第41-44页 |
| 4 Ga_2O_3的刻蚀 | 第44-54页 |
| 4.1 实验 | 第44页 |
| 4.2 刻蚀结果分析 | 第44-48页 |
| 4.2.1 ICP源功率的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 RF功率的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.3 反应室压强的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 不同气体混合比对Ga_2O_3薄膜刻蚀影响的研究 | 第48-54页 |
| 4.3.1 SF_6/Ar流量比对刻蚀速率的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.2 SF_6/Ar流量比对氧化镓薄膜结晶特性和表面粗糙度的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 SF_6与Ar流量比对刻蚀后氧化镓薄膜的光学特性的影响 | 第51-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
