大功率碳化硅二极管和JFET模块的研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-13页 |
| 1.1.1 碳化硅功率二极管 | 第10-12页 |
| 1.1.2 碳化硅JFET器件 | 第12-13页 |
| 1.2 选题意义及研究内容 | 第13-16页 |
| 1.2.1 选题意义 | 第13-14页 |
| 1.2.2 研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 碳化硅二极管和JFET芯片 | 第16-28页 |
| 2.1 外延层的设计 | 第16-19页 |
| 2.2 碳化硅器件工艺简介 | 第19-20页 |
| 2.2.1 离子注入和高温退火工艺 | 第19页 |
| 2.2.2 欧姆接触和肖特基接触工艺 | 第19-20页 |
| 2.2.3 湿法清洗和湿法腐蚀工艺 | 第20页 |
| 2.2.4 表面钝化工艺 | 第20页 |
| 2.3 碳化硅二极管和JFET芯片的制备 | 第20-23页 |
| 2.4 碳化硅二极管和JFET芯片的测试 | 第23-27页 |
| 2.4.1 芯片测试装置 | 第23-24页 |
| 2.4.2 正向导通测试 | 第24-25页 |
| 2.4.3 阻断特性测试 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 碳化硅功率模块制备与测试 | 第28-60页 |
| 3.1 功率模块封装技术简介 | 第28-33页 |
| 3.1.1 电力电子器件的封装类型 | 第28-29页 |
| 3.1.2 碳化硅功率模块的封装技术 | 第29-30页 |
| 3.1.3 功率模块封装材料的特性 | 第30-33页 |
| 3.2 3500V碳化硅功率模块 | 第33-39页 |
| 3.2.1 模块的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2 模块的测试 | 第34-37页 |
| 3.2.3 全碳化硅Boost电路 | 第37-39页 |
| 3.3 4500V碳化硅功率模块 | 第39-58页 |
| 3.3.1 DBC的设计 | 第39-41页 |
| 3.3.2 多芯片并联的优化 | 第41-43页 |
| 3.3.3 热仿真分析 | 第43-46页 |
| 3.3.4 模块的制备 | 第46-49页 |
| 3.3.5 模块的测试 | 第49-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
