| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 图表目录 | 第14-17页 |
| 主要符号表 | 第17-18页 |
| 1 绪论 | 第18-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第18-24页 |
| 1.2 SiO_2/SiC界面缺陷及钝化工艺的研究现状 | 第24-33页 |
| 1.3 研究思想及研究内容 | 第33-35页 |
| 2 SiO_2/SiC界面过渡区组成及结构研究 | 第35-65页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 SiO_2/SiC界面制作及测试 | 第36-42页 |
| 2.2.1 SiO_2/SiC界面制作工艺 | 第36-39页 |
| 2.2.2 SiO_2/SiC界面测试方法 | 第39-42页 |
| 2.3 SiO_2/SiC界面过渡区组成的XPS分析 | 第42-48页 |
| 2.4 SiO_2/SiC界面过渡区结构的ADXPS分析 | 第48-56页 |
| 2.5 SiO_2/SiC界面过渡区结构模型的理论计算及验证 | 第56-64页 |
| 2.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 3 SiO_2/SiC界面氮等离子体钝化研究 | 第65-99页 |
| 3.1 引言 | 第65-66页 |
| 3.2 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺及测试 | 第66-79页 |
| 3.2.1 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺 | 第66-70页 |
| 3.2.2 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面测试方法 | 第70-79页 |
| 3.3 氮等离子体钝化SiC MOS电容的电学特性 | 第79-91页 |
| 3.3.1 栅氧化膜绝缘特性 | 第79-80页 |
| 3.3.2 SiO_2/SiC界面电学特性 | 第80-87页 |
| 3.3.3 SiO_2/SiC界面电学特性的改善效果 | 第87-91页 |
| 3.4 氮等离子体钝化SiO_2/SiC界面的组成及结构 | 第91-97页 |
| 3.5 氮等离子体改善SiO_2/SiC界面电学特性的微观机理 | 第97页 |
| 3.6 本章小结 | 第97-99页 |
| 4 SiO_2/SiC界面氮氢混合等离子体钝化研究 | 第99-111页 |
| 4.1 引言 | 第99-100页 |
| 4.2 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺及测试 | 第100-102页 |
| 4.2.1 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面工艺 | 第100-101页 |
| 4.2.2 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面测试方法 | 第101-102页 |
| 4.3 氮氢混合等离子体钝化SiC MOS电容的电学特性 | 第102-106页 |
| 4.3.1 栅氧化膜绝缘特性 | 第102页 |
| 4.3.2 SiO_2/SiC界面电学特性 | 第102-105页 |
| 4.3.3 SiO_2/SiC界面电学特性的改善效果 | 第105-106页 |
| 4.4 氮氢混合等离子体钝化工艺中氮和氢各自的作用 | 第106-107页 |
| 4.5 氮氢混合等离子体钝化SiO_2/SiC界面的组成及结构 | 第107-109页 |
| 4.6 氮氢混合等离子体改善SiO_2/SiC界面电学特性的微观机理 | 第109页 |
| 4.7 本章小结 | 第109-111页 |
| 5 SiO_2/SiC界面湿氧二次氧化退火研究 | 第111-119页 |
| 5.1 引言 | 第111页 |
| 5.2 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面工艺及测试 | 第111-113页 |
| 5.2.1 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面工艺 | 第111-113页 |
| 5.2.2 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面测试方法 | 第113页 |
| 5.3 湿氧二次氧化退火SiC MOS电容的电学特性 | 第113-116页 |
| 5.3.1 栅氧化膜绝缘特性 | 第113-114页 |
| 5.3.2 SiO_2/SiC界面电学特性 | 第114-115页 |
| 5.3.3 SiO_2/SiC界面电学特性的改善效果 | 第115-116页 |
| 5.4 湿氧二次氧化退火SiO_2/SiC界面的组成及结构 | 第116-118页 |
| 5.5 湿氧二次氧化退火改善SiO_2/SiC界面电学特性的微观机理 | 第118页 |
| 5.6 本章小结 | 第118-119页 |
| 6 结论与展望 | 第119-122页 |
| 6.1 结论 | 第119-121页 |
| 6.2 创新点摘要 | 第121页 |
| 6.3 展望 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-131页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 作者简介 | 第134-135页 |
