| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 图目录 | 第11-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 AlGaN/GaN HEMTs作为功率开关的优势 | 第13-14页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMTs器件优化及可靠性提高的研究现状 | 第14-21页 |
| 1.2.1 过渡层(Buffer Layer)的改进 | 第15-16页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN异质层结构的改进 | 第16页 |
| 1.2.3 常通型(D-mode)AlGaN/GaN HEMTs的优化 | 第16-19页 |
| 1.2.4 优化表面电场抑制Current Collapse现象 | 第19-21页 |
| 1.3 本论文的主要工作和创新点 | 第21-22页 |
| 1.3.1 本论文主要工作 | 第21-22页 |
| 1.3.2 本论文创新点 | 第22页 |
| 1.4 本论文组织结构 | 第22-23页 |
| 第2章 基本理论 | 第23-34页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMTs结构与AlGaN/GaN异质结 | 第23-28页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMTs基本结构 | 第23-24页 |
| 2.1.2 极化效应与二维电子气 | 第24-28页 |
| 2.1.3 碰撞电离效应 | 第28页 |
| 2.2 横向功率器件表面电场的优化(横向结终端技术) | 第28-31页 |
| 2.2.1 场限环技术(FLR) | 第29页 |
| 2.2.2 场板技术(FP) | 第29-30页 |
| 2.2.3 横向变掺杂技术(VLD) | 第30-31页 |
| 2.3 陷阱的形成与器件性能的退化 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 AlGaN/GaN HEMTs的器件仿真 | 第34-53页 |
| 3.1 带有源场板结构的AlGaN/GaN HEMTs器件仿真建模 | 第35-39页 |
| 3.1.1 仿真原理 | 第35-36页 |
| 3.1.2 工艺仿真软件介绍 | 第36页 |
| 3.1.3 仿真方案设计 | 第36-39页 |
| 3.2 带有源场板结构的AlGaN/GaN HEMTs器件仿真 | 第39-51页 |
| 3.2.1 传统结构的AlGaN/GaN HEMTs器件耐压仿真 | 第39-44页 |
| 3.2.2 改进结构的AlGaN/GaN HEMTs器件耐压仿真 | 第44-49页 |
| 3.2.3 仿真验证AlGaN/GaN HEMTs器件改进结构的优势 | 第49-51页 |
| 3.2.4 仿真结论 | 第51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 带有场板结构的AlGaN/GaN HEMTs可靠性测试 | 第53-67页 |
| 4.1 可靠性测试方法及PWM测试原理 | 第53-54页 |
| 4.2 带有场板结构的AlGaN/GaN HEMTs可靠性测试平台搭建 | 第54-57页 |
| 4.2.1 待测AlGaN/GaN HEMTs器件介绍 | 第54-56页 |
| 4.2.2 测试使用实验设备 | 第56页 |
| 4.2.3 PWM测试平台搭建 | 第56-57页 |
| 4.3 带有场板结构的AlGaN/GaN HEMTs可靠性测试结果及分析 | 第57-65页 |
| 4.3.1 PWM测试结果 | 第57-64页 |
| 4.3.2 PWM测试实验数据分析 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 结论与展望 | 第67-70页 |
| 5.1 结论 | 第67-69页 |
| 5.2 研究展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 硕士期间参与的项目与发表和录用的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
