| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 图目录 | 第12-16页 |
| 主要符号表 | 第16-17页 |
| 1 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 石墨烯概述 | 第18-21页 |
| 1.2.1 石墨烯的发现 | 第18-19页 |
| 1.2.2 石墨烯的晶体结构 | 第19-20页 |
| 1.2.3 石墨烯的能带结构 | 第20-21页 |
| 1.3 石墨烯的性能及应用 | 第21-23页 |
| 1.3.1 透明电极 | 第21-22页 |
| 1.3.2 纳米电子器件 | 第22页 |
| 1.3.3 储能应用 | 第22-23页 |
| 1.3.4 传感器方面的应用 | 第23页 |
| 1.3.5 复合材料方面的应用 | 第23页 |
| 1.4 论文的选题依据和研究的主要内容 | 第23-25页 |
| 2 石墨烯薄膜的制备、表征和转移 | 第25-41页 |
| 2.1 石墨烯的几种主要制备方法 | 第25-29页 |
| 2.1.1 胶带法和微机械剥离法 | 第25-26页 |
| 2.1.2 SiC热蒸发法 | 第26页 |
| 2.1.3 氧化石墨还原法 | 第26-27页 |
| 2.1.4 过渡金属表面析出法 | 第27-28页 |
| 2.1.5 碳纳米管解理法 | 第28页 |
| 2.1.6 化学气相沉积法(CVD法) | 第28-29页 |
| 2.2 石墨烯的表征技术 | 第29-39页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第30-33页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第33-35页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜 | 第35-36页 |
| 2.2.5 拉曼光谱仪 | 第36-39页 |
| 2.3 石墨烯的转移技术 | 第39-41页 |
| 3 CVD法在单晶Mo膜衬底上制备高质量石墨烯薄膜 | 第41-54页 |
| 3.1 在Mo膜上生长石墨烯薄膜的研究背景 | 第41-44页 |
| 3.2 CVD法在单晶Mo膜上制备石墨烯薄膜 | 第44-47页 |
| 3.2.1 电子束蒸发制备单晶Mo膜及表征 | 第44-46页 |
| 3.2.2 单晶Mo膜上制备石墨烯的过程 | 第46-47页 |
| 3.3 生长参数对石墨烯薄膜质量的影响 | 第47-52页 |
| 3.3.1 H_2与CH_4流量比对石墨烯薄膜性质的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.2 生长时间对石墨烯薄膜性质的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.3 降温速率对石墨烯薄膜性质的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.4 Mo膜厚度对石墨烯薄膜性质的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 单晶Mo膜上生长石墨烯与Mo片上生长石墨烯比较 | 第52页 |
| 3.5 Mo膜衬底的团聚现象 | 第52-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 4 CVD法在抛光Cu衬底上制备高质量石墨烯薄膜 | 第54-67页 |
| 4.1 Cu衬底上制备石墨烯薄膜的研究背景 | 第54页 |
| 4.2 Cu衬底的化学机械抛光 | 第54-58页 |
| 4.2.1 Cu衬底的机械抛光 | 第54-56页 |
| 4.2.2 Cu衬底的电化学抛光 | 第56-58页 |
| 4.3 抛光与未抛光Cu衬底上生长的石墨烯比较 | 第58-59页 |
| 4.4 Cu衬底晶界及表面划痕对生长石墨烯的影响 | 第59-61页 |
| 4.5 在抛光Cu衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴 | 第61-64页 |
| 4.6 两步合成法生长高质量石墨烯薄膜 | 第64-66页 |
| 4.7 本章小结 | 第66-67页 |
| 5 CVD法制备的石墨烯晶畴的H_2刻蚀现象研究 | 第67-89页 |
| 5.1 H_2刻蚀石墨烯薄膜的研究背景 | 第67-68页 |
| 5.2 六角石墨烯晶畴的制备 | 第68页 |
| 5.3 刻蚀时间对石墨烯晶畴的影响 | 第68-72页 |
| 5.4 Cu面晶向对石墨烯表面刻蚀条纹的影响 | 第72-78页 |
| 5.5 石墨烯表面上褶皱与刻蚀条纹的关系 | 第78-84页 |
| 5.6 降温速率对刻蚀条纹的影响 | 第84-86页 |
| 5.7 石墨烯的H_2刻蚀过程及机理分析 | 第86-88页 |
| 5.8 本章小结 | 第88-89页 |
| 6 结论与展望 | 第89-91页 |
| 6.1 结论 | 第89-90页 |
| 6.2 创新点 | 第90页 |
| 6.3 展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-98页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 作者简介 | 第100页 |
