| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化镓的性质 | 第10-12页 |
| 1.3 氧化镓的研究进展与应用 | 第12-16页 |
| 1.3.1 氧化镓的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3.2 氧化镓的应用 | 第13-16页 |
| 1.4 氧化镓材料的制备方法 | 第16-17页 |
| 2 氧化镓材料的制备技术与测试手段 | 第17-28页 |
| 2.1 MOCVD方法介绍 | 第17-23页 |
| 2.1.1 MOCVD设备构成 | 第18-20页 |
| 2.1.2 金属有机源 | 第20-21页 |
| 2.1.3 衬底的选用 | 第21-23页 |
| 2.2 氧化镓材料的表征手段 | 第23-28页 |
| 2.2.1 晶体质量、组分表征手段 | 第23-24页 |
| 2.2.2 表面形貌表征手段 | 第24-25页 |
| 2.2.3 光学特性表征手段 | 第25-28页 |
| 3 外延生长氧化镓与氮化镓基板热氧化温度对生长取向的影响 | 第28-38页 |
| 3.1 成核长大的热力学条件 | 第28-30页 |
| 3.2 氧化镓的低压生长 | 第30-32页 |
| 3.2.1 低压MOCVD | 第30页 |
| 3.2.2 氧化镓低压外延实验 | 第30页 |
| 3.2.3 结果分析 | 第30-32页 |
| 3.3 GaN基板的热氧化 | 第32-36页 |
| 3.3.1 热氧化实验 | 第32-33页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第33-36页 |
| 3.4 氮化镓热氧化基板外延氧化镓 | 第36-37页 |
| 3.4.1 热氧化GaN基板外延Ga_2O_3实验内容 | 第36页 |
| 3.4.2 结果分析 | 第36-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 外延生长氧化镓与反应压强对表面形貌的控制 | 第38-45页 |
| 4.1 压强对外延生长的影响 | 第38-39页 |
| 4.2 实验内容 | 第39-40页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第40-44页 |
| 4.3.1 晶向组分表征XRD | 第40-41页 |
| 4.3.2 表面形貌表征：SEM | 第41-43页 |
| 4.3.3 光学特性表征：透射吸收谱 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |