硅基薄膜在新型器件中的应用
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 太阳能电池 | 第8-13页 |
| 1.1.1 多结叠层硅太阳能电池 | 第9-10页 |
| 1.1.2 全硅太阳能电池 | 第10页 |
| 1.1.3 全硅太阳能电池研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2 非易失性存储器 | 第13-21页 |
| 1.2.1 电阻存储器定义 | 第13-16页 |
| 1.2.2 电阻存储器的导电机理 | 第16-18页 |
| 1.2.3 电阻存储器材料 | 第18-19页 |
| 1.2.4 硅基电阻存储器 | 第19页 |
| 1.2.5 非晶硅电阻存储器研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 本论文选题和研究的意义 | 第21-23页 |
| 2 硅基薄膜制备与表征技术 | 第23-30页 |
| 2.1 HWCVD简介 | 第23-24页 |
| 2.1.1 HWCVD的优缺点 | 第23页 |
| 2.1.2 HWCVD反应系统 | 第23-24页 |
| 2.2 金属电极制备 | 第24-25页 |
| 2.3 X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| 2.4 拉曼光谱(Raman) | 第26-27页 |
| 2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| 2.6 傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第27-28页 |
| 2.7 Ⅰ-Ⅴ特性测试 | 第28-30页 |
| 3 SiC基硅纳米晶薄膜在叠层电池的应用 | 第30-40页 |
| 3.1 SiC基硅纳米晶的制备 | 第30-31页 |
| 3.1.1 实验步骤 | 第30页 |
| 3.1.2 实验工艺参数 | 第30-31页 |
| 3.2 SiC基硅纳米薄膜特性研究 | 第31-36页 |
| 3.2.1 晶粒大小 | 第31-33页 |
| 3.2.2 晶化百分比 | 第33-34页 |
| 3.2.3 FTIR | 第34-35页 |
| 3.2.4 SEM | 第35-36页 |
| 3.3 分析与讨论 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 非晶硅薄膜在非易失性存储器的应用 | 第40-49页 |
| 4.1 非晶硅薄膜制备 | 第40页 |
| 4.1.1 实验步骤 | 第40页 |
| 4.1.2 实验工艺参数 | 第40页 |
| 4.2 金属电极制备 | 第40-41页 |
| 4.3 特性研究 | 第41-47页 |
| 4.3.1 Ag/a-Si/p-Si结构数据分析 | 第41-46页 |
| 4.3.2 Ag/a-Si/Au结构数据分析 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
