当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
掩膜版雾状缺陷改善与光刻良率提升
电子束检测方法研究
基于非易失存储器应用的钛基纳米晶制备工艺的研究
多晶硅刻蚀中静电吸盘对产品的影响及其寿命的提高
45纳米掩膜版缺陷的可成像性研究
蚀刻反应腔部件对制程条件影响及控制研究
0.35μm垂直沟道功率芯片背金工艺优化和缺陷改善
CSP板级封装在跌落冲击载荷下的可靠性研究
单晶硅纳米结构的TEM内原位拉伸实验研究
新型掺镜钒酸镥钆系列晶体的生长、表征及其激光性能研究
新型掺镱钒酸镥钆系列晶体的生长、表征及其激光性能研究
氮化锌粉末与氮化锌薄膜的制备
掺杂T-ZnO的制备与性能
Ga2O3薄膜的制备及特性研究
磁控溅射法制备MgxNi1-xO薄膜及其表征
AlGaN/GaN异质结构材料与器件研究
超晶格材料的子带结构
线锯切割单晶硅的应力场及损伤层研究
CdSe的水溶液法合成研究
沟槽结构功率管理器件DMOS的可靠性评估及优化
电力静电感应器件的研制
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的研制与特性分析
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作
ZrO2材料的DFT研究
四氟金属酞菁有机场效应材料的合成与性能研究
高性能有机电致白光器件的研究
四氧化三铁在有机电致发光器件中的应用研究
Alq3基有机发光器件的光电子能谱研究
高效率色稳定的白色有机电致发光器件
有机电致发光器件性能改善研究
有机小分子和共轭聚合物光电特性的超快光谱研究
含硅类宽禁带母体材料的设计合成与光电性质研究
低驱动电压有机电致发光器件的研究
透明及顶发射白光有机电致发光器件理论分析与实验研究
LEC法生长GaP单晶
单层聚对苯乙炔（PPV）薄膜发光二级管发光效率研究
液态源雾化化学沉积法制备纳米颗粒镧钛酸铅薄膜
荧光玻璃光学性能的蒙特卡罗模拟与实验研究
线阵CCD在线实时测径系统的研究与设计
MOCVD法制备氧化锌发光器件及薄膜晶体管的研究
基于DPV的蓝色和白色有机发光器件及其效率滚降研究
基于飞秒激光技术的硅表面特性研究及光电器件制备
a-Si:H薄膜的MWECR CVD制备及特性研究
高压下半导体的载流子行为
有机半导体材料特性测量及有机场效应管应用的研究
高频功率SiGe异质结双极晶体管（HBTs）的研究与设计
晶圆背面颜色异常的研究
脉冲激光沉积CdO和ZnO基薄膜及其光电性能研究
LEC法生长GaP单晶
掺锗直拉硅单晶中微缺陷的研究
上一页
[59]
[60]
[61]
[62]
[63]
下一页
