| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 飞秒激光技术简介 | 第13-14页 |
| 1.2 硅及硅基材料表面和界面 | 第14-18页 |
| 1.2.1 硅基应变技术 | 第15-17页 |
| 1.2.2 表征半导体表面和界面的二次谐波产生技术 | 第17-18页 |
| 1.3 基于飞秒激光技术的材料改性 | 第18-21页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 应变Si表面二次谐波产生及应力扫描二次谐波技术 | 第25-59页 |
| 2.1 立方晶体表面二次谐波产生的唯象理论 | 第25-36页 |
| 2.1.1 表面二次谐波产生中的体贡献 | 第25-31页 |
| 2.1.2 表面二次谐波产生中的表面贡献 | 第31-36页 |
| 2.2 应力场作用下Si(111)表面SHG研究 | 第36-48页 |
| 2.2.1 单轴应变器件的设计及应变分析 | 第36-39页 |
| 2.2.2 应力场作用下Si(111)表面SHG的实验研究 | 第39-43页 |
| 2.2.3 应力场作用下Si(111)表面SHG的结果讨论 | 第43-48页 |
| 2.3 Si/SiO_2自然氧化层界面应变的SHG研究 | 第48-56页 |
| 2.3.1 双轴应变器件的设计及应变分析 | 第48-51页 |
| 2.3.2 自然氧化SiO_2/Si(111)界面SHG实验研究 | 第51-55页 |
| 2.3.3 自然氧化SiO_2/Si(111)界面应变分析及讨论 | 第55-56页 |
| 2.4 应变诱导Si表面及SiO_2/Si(111)界面SHG小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 基于SHG技术的Si_(1-x)G_x合金特性研究 | 第59-75页 |
| 3.1 Si_(1-x)Ge_x合金薄膜的制备及表征 | 第59-64页 |
| 3.2 Si_(1-x)Ge_x合金薄膜表面SHG研究 | 第64-71页 |
| 3.2.1 Si_(1-x)Ge_x合金薄膜表面SHG实验 | 第64-65页 |
| 3.2.2 SHG实验结果与讨论 | 第65-71页 |
| 3.3 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第四章 飞秒激光微结构化的黑硅表面 | 第75-103页 |
| 4.1 半导体硅表面结构化背景介绍 | 第75-81页 |
| 4.1.1 离子轰击形成的微结构 | 第75-77页 |
| 4.1.2 Si针状结构的气-液-固生长 | 第77-78页 |
| 4.1.3 激光与固体材料的相互作用 | 第78-80页 |
| 4.1.4 激光诱导固体材料表面周期结构的形成 | 第80-81页 |
| 4.2 飞秒激光微结构化黑硅表面的实验研究 | 第81-90页 |
| 4.2.1 飞秒激光制作结构化硅表面的实验系统 | 第81-83页 |
| 4.2.2 飞秒激光加工过程 | 第83-84页 |
| 4.2.3 SF_6背景气下飞秒激光加工的黑硅表面形貌 | 第84-86页 |
| 4.2.4 SF_6背景气体下飞秒激光加工制作微结构的光学性质 | 第86-90页 |
| 4.3 SF_6气氛下飞秒激光微结构化黑硅的结果讨论 | 第90-93页 |
| 4.4 其它形貌的黑硅表面 | 第93-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 第五章 黑硅光电探测器的制作及特性研究 | 第103-123页 |
| 5.1 光电二极管探测器的基本工作原理 | 第103-107页 |
| 5.2 飞砂激光微结构的黑硅光电探测器的研究 | 第107-120页 |
| 5.2.1 大尺寸黑硅光电探测器的制作和研究 | 第108-113页 |
| 5.2.2 小尺寸黑硅探测器的制作和研究 | 第113-120页 |
| 5.3 总结 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-123页 |
| 第六章 结论 | 第123-125页 |
| 已发表文章 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
