电子束检测方法研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 半导体的发展 | 第14-17页 |
| 1.1.1 电晶体的发明 | 第15-16页 |
| 1.1.2 集成电路的发展 | 第16页 |
| 1.1.3 超大型集成电路的发展 | 第16-17页 |
| 1.2 中国半导体产业发展历史 | 第17-19页 |
| 1.2.1 分立器件发展阶段 | 第17页 |
| 1.2.2 IC 初始发展阶段 | 第17-18页 |
| 1.2.3 大规模 IC 发展阶段 | 第18-19页 |
| 1.3 缺陷检测的发展 | 第19-21页 |
| 1.3.1 光学显微镜和电子显微镜 | 第19页 |
| 1.3.2 使用在芯片生产的主要检测设备 | 第19-21页 |
| 1.3.3 我国仪器科技的发展现状 | 第21页 |
| 1.3.4 测量技术与仪器的发展趋势 | 第21页 |
| 1.4 课题的提出 | 第21-22页 |
| 1.5 本文研究的方法和内容 | 第22-24页 |
| 第2章 电子束检测原理 | 第24-32页 |
| 2.1 电子束检测原理 | 第24-27页 |
| 2.2 电子束检测的优点 | 第27-31页 |
| 2.2.1 电子束检测和光学检测的比较 | 第27-28页 |
| 2.2.2 电性检测的优点 | 第28-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 电子束检测物理缺陷 | 第32-43页 |
| 3.1 电子束检测设备 | 第32-34页 |
| 3.1.1 算法原理 | 第33页 |
| 3.1.2 电子束检测的特点 | 第33-34页 |
| 3.2 对物理缺陷检测的实验设计 | 第34-42页 |
| 3.2.1 KLA 实验设计 | 第34-37页 |
| 3.2.2 API 实验设计 | 第37-38页 |
| 3.2.3 电子束检测实验设计 | 第38-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 电子束检测电性缺陷 | 第43-57页 |
| 4.1 电子束的电性原理 | 第43-46页 |
| 4.1.1 入射能量和入射深度的关系 | 第43-46页 |
| 4.1.2 电荷和电荷控制 | 第46页 |
| 4.2 电子束检测的应用原理 | 第46-49页 |
| 4.3 如何加大图片的对比 | 第49-50页 |
| 4.4 对电性缺陷检测的实验设计 | 第50-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第61页 |
