高压下半导体的载流子行为
| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第13-21页 |
| 1.1 霍尔效应的研究意义 | 第13-15页 |
| 1.2 高压下霍尔效应测量的发展历史 | 第15-19页 |
| 1.3 论文的选题目的和意义 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文各部分的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 原位高压电阻率、阻抗谱和霍尔效应测量技术 | 第21-39页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 测量微电路在金刚石对顶砧上的集成 | 第21-23页 |
| 2.2.1 高压直流电阻率测量技术 | 第21-23页 |
| 2.2.2 高压交流阻抗谱测量技术 | 第23页 |
| 2.3 高压霍尔效应测量技术 | 第23-38页 |
| 2.3.1 霍尔效应测量基本原理 | 第23-24页 |
| 2.3.2 霍尔效应的副效应 | 第24-25页 |
| 2.3.3 霍尔效应副效应引起的系统误差的消除 | 第25-26页 |
| 2.3.4 霍尔效应测量方法及计算公式 | 第26-34页 |
| 2.3.5 高压霍尔效应测量技术 | 第34-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 Hg系硫化物的高压载流子行为研究 | 第39-53页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 HgTe的高压霍尔效应研究 | 第39-43页 |
| 3.3 HgSe的高压霍尔效应研究 | 第43-49页 |
| 3.4 HgS的高压霍尔效应研究 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 作者简历及在学期间取得的科研成果 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
