| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 超晶格材料概述 | 第8-21页 |
| 1.1 序言 | 第8-9页 |
| 1.2 量子阱和超晶格 | 第9-13页 |
| 1.2.1 量子阱超晶格的类型 | 第10-12页 |
| 1.2.2 量子阱超晶格材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 量子线和量子点 | 第13-16页 |
| 1.3.1 量子线 | 第13-14页 |
| 1.3.2 量子点 | 第14-16页 |
| 1.4 低维材料的能带 | 第16-18页 |
| 1.5 低维材料的性质 | 第18-21页 |
| 第二章 材料制备及测量方法 | 第21-31页 |
| 2.1 分子束外延(MBE) | 第21-27页 |
| 2.1.1 MBE的基本工作原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 MBE法的的特点 | 第22-23页 |
| 2.1.3 MBE装置示意图 | 第23-24页 |
| 2.1.4 GaAs生长机理 | 第24-25页 |
| 2.1.5 衬底表面清洁 | 第25页 |
| 2.1.6 掺杂 | 第25-27页 |
| 2.2 制备GaAs／AlGaAs超晶格样品 | 第27-28页 |
| 2.3 光致发光 | 第28-31页 |
| 第三章 GaAs／AlGaAs超晶格的光致发光特性 | 第31-39页 |
| 3.1 掺杂GaAs／超晶格的光致发光 | 第31-35页 |
| 3.1.1 样品的制备及测量结果 | 第31-32页 |
| 3.1.2 对超晶格光致发光谱的分析 | 第32-35页 |
| 3.1.3 结论 | 第35页 |
| 3.2 变激发波长的光致发光 | 第35-39页 |
| 第四章 超晶格子带结构的研究 | 第39-51页 |
| 4.1 超晶格的光电流谱 | 第39-47页 |
| 4.1.1 样品的制备及测量结果 | 第39-40页 |
| 4.1.2 对超晶格光电流谱的分析 | 第40-47页 |
| 4.2 由光电流计算超晶格的子带带宽 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第57-58页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第58页 |