| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 光罩简介 | 第10-17页 |
| 1.1.1 光罩的作用 | 第10-11页 |
| 1.1.2 MASK 的结构 | 第11-12页 |
| 1.1.3 MASK 的缩影和尺寸 | 第12页 |
| 1.1.4 MASK 的损伤来源及保护 | 第12-14页 |
| 1.1.5 光学增强技术 | 第14-17页 |
| 1.2 Mask 制作流程简介 | 第17-19页 |
| 1.2.1 Mask 数据处理流程 | 第17-18页 |
| 1.2.2 MASK 工艺制作流程 | 第18-19页 |
| 1.3 MASK 缺陷检测及修补简介 | 第19-23页 |
| 1.3.1 缺陷的检测方法分类 | 第19-21页 |
| 1.3.2 缺陷的判断及分类 | 第21-22页 |
| 1.3.3 MASK 缺陷的修补 | 第22-23页 |
| 1.4 缺陷的模拟成像及判断 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的研究目的与内容 | 第24-25页 |
| 1.5.1 缺陷检测及判断面临的主要问题 | 第24页 |
| 1.5.2 实验研究目的与内容 | 第24-25页 |
| 2 45 纳米掩膜版缺陷研究的背景及理论基础 | 第25-31页 |
| 2.1 目前国内外研究背景 | 第25-27页 |
| 2.2 MASK 缺陷可成像性研究的意义 | 第27-29页 |
| 2.2.1 缺陷检验面临的挑战 | 第27-28页 |
| 2.2.2 AIMS 模拟机台的局限性 | 第28-29页 |
| 2.3 本课题研究的详细步骤 | 第29-30页 |
| 2.4 小结 | 第30-31页 |
| 3 45 纳米 MASK 缺陷研究实验光罩的设计与制备 | 第31-49页 |
| 3.1 图形，缺陷设计 | 第31-41页 |
| 3.1.1 基本图型，缺陷的选取 | 第31-33页 |
| 3.1.2 缺陷尺寸及步长设计 | 第33-34页 |
| 3.1.3 缺陷图形布局设计 | 第34-39页 |
| 3.1.4 图形格式转换 | 第39-41页 |
| 3.2 45 纳米缺陷光罩的工艺制作 | 第41-47页 |
| 3.2.1 光罩原材料的选取 | 第41-42页 |
| 3.2.2 实验光罩图形刻写 | 第42-43页 |
| 3.2.3 实验光罩的工艺流程 | 第43-45页 |
| 3.2.4 实验光罩的规格控制及实验区域的选择 | 第45-46页 |
| 3.2.5 实验光罩的缺陷图样结果及分析 | 第46-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 45 纳米缺陷光罩在硅片上的光刻成像 | 第49-56页 |
| 4.1 光刻机台简介 | 第49-50页 |
| 4.2 45 纳米缺陷光罩光刻参数调整及设定 | 第50-51页 |
| 4.3 45 纳米缺陷光罩的硅片上的工艺流程 | 第51-52页 |
| 4.4 45 纳米缺陷光罩在硅片上的成像结果及CD 数值 | 第52-55页 |
| 4.4.1 实验光罩在硅片上的成像结果分析 | 第52-54页 |
| 4.4.2 硅片上的CD 量测结果分析 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 45 纳光罩缺陷研究结果在光罩缺陷检测及判断上的应用 | 第56-64页 |
| 5.1 缺陷检测结果及参数调整 | 第56-62页 |
| 5.1.1 实验缺陷检测机台简介 | 第56-58页 |
| 5.1.2 检测机台能力的验证与调整 | 第58-61页 |
| 5.1.3 检测机台参数调整后在产品中的效果验证 | 第61-62页 |
| 5.2 AIMS 量测结果与硅片 ADI CD 的对比 | 第62-63页 |
| 5.3 本章小节 | 第63-64页 |
| 6 结论及展望 | 第64-66页 |
| 6.1 总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第71-74页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第74页 |
