掩膜版雾状缺陷改善与光刻良率提升
| 摘要 | 第2-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-21页 |
| 1.1.1 光刻技术的发展 | 第10-15页 |
| 1.1.2 掩膜版的发展 | 第15-21页 |
| 1.2 本章小结 | 第21-23页 |
| 第2章 掩膜版雾状缺陷的表象和成因分析 | 第23-41页 |
| 2.1 掩膜版雾状缺陷的定义 | 第23-25页 |
| 2.2 掩膜版雾状缺陷的组成 | 第25-28页 |
| 2.3 掩膜版雾状缺陷的成因分析 | 第28-40页 |
| 2.3.1 工艺控制参数K1 | 第29-32页 |
| 2.3.2 晶圆尺寸的限制 | 第32-34页 |
| 2.3.3 光刻波长的影响 | 第34-37页 |
| 2.3.4 环境的要求 | 第37-39页 |
| 2.3.5 掩膜版的工艺要求 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 掩膜版雾状缺陷的解决方案 | 第41-66页 |
| 3.1 掩模版工作环境的改善 | 第42-47页 |
| 3.1.1 厂区环境的改善 | 第42-44页 |
| 3.1.2 机台环境的改善 | 第44-46页 |
| 3.1.3 掩膜版检测环境的改善 | 第46-47页 |
| 3.1.4 小结 | 第47页 |
| 3.2 掩模版存储环境的改善 | 第47-53页 |
| 3.2.1 掩膜版放置盒的改进 | 第48-49页 |
| 3.2.2 掩膜版净化柜的改善 | 第49-52页 |
| 3.2.3 掩膜版存放柜的改善 | 第52页 |
| 3.2.4 小结 | 第52-53页 |
| 3.3 掩模版清洗工艺的改善 | 第53-57页 |
| 3.3.1 传统的掩膜版清洗工艺 | 第54-55页 |
| 3.3.2 改进的掩膜版清洗工艺 | 第55-56页 |
| 3.3.3 无硫掩膜版工艺 | 第56-57页 |
| 3.4 掩模版检测方法的改善 | 第57-61页 |
| 3.4.1 掩膜版检测 | 第57-59页 |
| 3.4.2 图像鉴定 | 第59-61页 |
| 3.5 良率提升 | 第61-66页 |
| 3.5.1 事件一0917 产品的重复缺陷 | 第61-63页 |
| 3.5.2 事件二0.13DR 产品的重复缺陷 | 第63-66页 |
| 第4章 结论 | 第66-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第74-76页 |
