| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| 1-1 课题研究的背景和意义 | 第8-9页 |
| 1-2 应力AlGaN／GaN异质结构材料和AlGaN/GaN HFET的研究的现状 | 第9-11页 |
| 1-3 本论文的工作及内容安排 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-14页 |
| 第二章 样品制备和测试 | 第14-19页 |
| 2-1 样品结构 | 第14-15页 |
| 2-2 样品制备 | 第15-17页 |
| 2-2-1 材料结构生长 | 第15-16页 |
| 2-2-2 器件工艺 | 第16-17页 |
| 2-3 样品测试 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-19页 |
| 第三章 计算机模拟计算AlGaN／GaN异质结二维电子气 | 第19-32页 |
| 3-1 计算过程 | 第19-20页 |
| 3-2 计算方法 | 第20-23页 |
| 3-3 计算结果 | 第23-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 附录1 | 第27-28页 |
| 附录2 | 第28-32页 |
| 第四章 AlGaN／GaN异质结构表面势研究 | 第32-40页 |
| 4-1 AlGaN／GaN异质结构极化电荷计算 | 第32-34页 |
| 4-2 AlGaN／GaN异质结构表面势计算 | 第34-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 附录 | 第39-40页 |
| 第五章 AlGaN／GaN异质结场效应晶体管(AlGaN／GaN HFET)参数研究 | 第40-51页 |
| 5-1 AlGaN/GaN HFET(圆形结构)的电流-电压关系 | 第40-42页 |
| 5-2 AlGaN/GaN HFET的开启电压 | 第42-45页 |
| 5-3 AlGaN/GaN HFET的夹断电压 | 第45-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 附录 | 第50-51页 |
| 第六章 AlGaN/GaN异质结肖特基接触热稳定性研究 | 第51-61页 |
| 6-1 热处理前后AlGaN/GaN异质结构的参数比较 | 第51-54页 |
| 6-2 退火后样品各参数的变化可能性研究 | 第54-57页 |
| 6-3 退火对器件参数及性质的影响 | 第57-60页 |
| 6-3-1 长沟道器件 | 第57-59页 |
| 6-3-2 短沟道器件 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第七章 总结 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第64页 |
