| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| §1.1 GaN材料和AlGaN/GaN异质结微波功率器件的优势 | 第13-15页 |
| §1.2 GaN电子器件与AlGaN/GaN HEMT研究 | 第15-19页 |
| 1.2.1 GaN电子器件 | 第15-17页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN HEMT关键工艺技术 | 第17-18页 |
| 1.2.3 AlGaN/GaN HEMT研究现状 | 第18-19页 |
| §1.3 基于AlGaN/GaN HEMT的应用研究进展 | 第19-22页 |
| §1.4 本论文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结材料生长与特性 | 第24-35页 |
| §2.1 材料生长方法和衬底选择 | 第24-28页 |
| 2.1.1 几种常用的GaN材料生长方法 | 第24-27页 |
| 2.1.2 衬底材料的选择 | 第27-28页 |
| §2.2 AlGaN/GaN异质结材料 | 第28-34页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN异质结二维电子气 | 第28-30页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN异质结材料特性 | 第30-33页 |
| 2.2.3 不同层结构AlGaN/GaN异质结 | 第33-34页 |
| §2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 GaN及AlGaN刻蚀工艺研究 | 第35-53页 |
| §3.1 等离子体干法刻蚀 | 第35-39页 |
| 3.1.1 常用的GaN干法刻蚀方法 | 第35-37页 |
| 3.1.2 等离子体刻蚀机理和评估 | 第37-39页 |
| §3.2 ICP刻蚀速率与刻蚀参数的关系 | 第39-41页 |
| §3.3 HEMT有源区刻蚀形貌的研究 | 第41-46页 |
| 3.3.1 光刻胶掩模 | 第42-45页 |
| 3.3.2 SiO_2掩模技术 | 第45-46页 |
| §3.4 选择性刻蚀GaN(帽层)/Al_(0.27)Ga_(0.73)N | 第46-48页 |
| §3.5 刻蚀延迟现象研究 | 第48-49页 |
| §3.6 干法刻蚀损伤 | 第49-52页 |
| §3.7 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 AlGaN/GaN异质结材料Ni/Au肖特基接触研究 | 第53-80页 |
| §4.1 肖特基接触基本理论 | 第53-61页 |
| 4.1.1 电流输运机制 | 第53-56页 |
| 4.1.2 势垒高度和理想因子 | 第56-60页 |
| 4.1.3 AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基 | 第60-61页 |
| §4.2 表面处理对肖特基特性影响研究 | 第61-65页 |
| 4.2.1 O_2等离子体处理对肖特基特性影响 | 第61-63页 |
| 4.2.2 不同溶液表面处理 | 第63-65页 |
| §4.3 退火对肖特基特性影响研究 | 第65-67页 |
| §4.4 表面处理结合退火提高AlGaN/GaN异质结肖特基特性 | 第67-72页 |
| 4.4.1 实验设计 | 第68页 |
| 4.4.2 结果及其讨论 | 第68-72页 |
| 4.4.3 结论 | 第72页 |
| §4.5 材料缺陷和氧化层对肖特基特性的影响 | 第72-76页 |
| §4.6 AlGaN/GaN异质结肖特基温度特性研究 | 第76-78页 |
| §4.7 本章小节 | 第78-80页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT的研制 | 第80-95页 |
| §5.1 器件有源区隔离 | 第80-83页 |
| 5.1.1 有源区隔离与掩模材料 | 第80-81页 |
| 5.1.2 复合隔离技术 | 第81-83页 |
| §5.2 光刻和金属淀积 | 第83-86页 |
| 5.2.1 光刻与剥离 | 第83-84页 |
| 5.2.2 金属接触 | 第84-86页 |
| §5.3 表面钝化技术 | 第86-87页 |
| §5.4 电镀加厚电极 | 第87-90页 |
| §5.5 多指栅AlGaN/GaN HEMT研制 | 第90-92页 |
| §5.6 AlGaN/GaN HEMT工艺流程 | 第92-94页 |
| §5.7 本章小节 | 第94-95页 |
| 第六章 AlGaNGaN HEMT直流与高频特性 | 第95-113页 |
| §6.1 器件工作机理与结构优化 | 第95-101页 |
| 6.1.1 主要器件参数和基本理论 | 第95-99页 |
| 6.1.2 器件结构设计 | 第99-101页 |
| §6.2 AlGaN/GaN HEMT器件特性 | 第101-112页 |
| 6.2.1 直流特性 | 第101-108页 |
| 6.2.2 频率特性 | 第108-112页 |
| §6.3 本章小结 | 第112-113页 |
| 第七章 AlGaN/GaN HEMT温度特性和高场应力研究 | 第113-128页 |
| §7.1 变温C-V和TLM测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性 | 第113-118页 |
| 7.1.1 实验准备和测量方法 | 第113-114页 |
| 7.1.2 实验结果及分析 | 第114-117页 |
| 7.1.3 结论 | 第117-118页 |
| §7.2 AlGaNGaN HEMT在N_2中高温退火研究 | 第118-122页 |
| 7.2.1 实验准备和测量方法 | 第118页 |
| 7.2.2 试验结果及分析 | 第118-121页 |
| 7.2.3 结论 | 第121-122页 |
| §7.3 AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究 | 第122-127页 |
| 7.3.1 高场效应和热载流子 | 第122-123页 |
| 7.3.2 高场应力实验 | 第123页 |
| 7.3.3 实验结果及分析 | 第123-127页 |
| 7.3.4 结论 | 第127页 |
| §7.4 本章小节 | 第127-128页 |
| 第八章 结束语 | 第128-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-141页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第141-143页 |
