| 序言 | 第10-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-33页 |
| 1.1 硅的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.2 硅单晶材料的制备 | 第13-14页 |
| 1.2.1 区熔法 | 第13-14页 |
| 1.2.2 直拉法 | 第14页 |
| 1.3 硅中的氧 | 第14-17页 |
| 1.3.1 氧的溶解度 | 第15-16页 |
| 1.3.2 氧的扩散 | 第16-17页 |
| 1.4 硅中的氧沉淀 | 第17-19页 |
| 1.4.1 单晶中氧沉淀的形态 | 第17-18页 |
| 1.4.2 氧沉淀的形核长大 | 第18-19页 |
| 1.5 空洞型缺陷(Void) | 第19-24页 |
| 1.5.1 Void的基本性质 | 第19-21页 |
| 1.5.2 Void的形成 | 第21-22页 |
| 1.5.3 杂质原子对氧沉淀和Void的影响 | 第22-24页 |
| 1.6 锗杂质对直拉硅单晶性能的影响 | 第24-33页 |
| 1.6.1 锗杂质对硅中的氧行为的影响 | 第25页 |
| 1.6.2 锗对硅单晶中氧外扩散的影响 | 第25-26页 |
| 1.6.3 锗对硅单晶中氧沉淀的影响 | 第26-28页 |
| 1.6.4 锗对硅单晶中氧施主的影响 | 第28-30页 |
| 1.6.5 锗杂质对硅中空洞型缺陷的影响 | 第30-31页 |
| 1.6.6 锗杂质对硅的机械性能的影响 | 第31-33页 |
| 第二章 实验设备 | 第33-35页 |
| 2.1 退火设备 | 第33页 |
| 2.1.1 常规退火 | 第33页 |
| 2.1.2 氢气退火 | 第33页 |
| 2.1.3 快速热处理 | 第33页 |
| 2.2 傅立叶红外测试仪 | 第33页 |
| 2.3 金相显微镜 | 第33-34页 |
| 2.4 透射电子显微镜 | 第34页 |
| 2.5 扩展电阻仪 | 第34页 |
| 2.6 激光颗粒测数仪 | 第34-35页 |
| 第三章 掺锗直拉硅中的原生氧沉淀 | 第35-42页 |
| 3.1 前言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验 | 第36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-40页 |
| 3.4 结论 | 第40-42页 |
| 第四章 掺锗直拉硅单晶中氧沉淀的形成及消融 | 第42-51页 |
| 4.1 前言 | 第42-43页 |
| 4.2 实验 | 第43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 4.3.1 800℃C和1000℃下的氧沉淀 | 第43-46页 |
| 4.3.2 氧沉淀在高温下的溶解 | 第46-49页 |
| 4.4 结论 | 第49-51页 |
| 第五章 掺锗直拉硅的内吸杂 | 第51-58页 |
| 5.1 引言 | 第51-52页 |
| 5.2 实验 | 第52页 |
| 5.3 实验结果和分析 | 第52-57页 |
| 5.3.1 三步退火 | 第52-53页 |
| 5.3.2 单步退火 | 第53-54页 |
| 5.3.3 氧的外扩散 | 第54-55页 |
| 5.3.4 RTP对洁净区的影响 | 第55-57页 |
| 5.4 结论 | 第57-58页 |
| 第六章 微量锗的掺入对直拉硅单晶中氧施主形成的影响 | 第58-63页 |
| 6.1 前言 | 第58页 |
| 6.2 实验 | 第58-59页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第59-62页 |
| 6.4 结论 | 第62-63页 |
| 第七章 微锗直拉硅单晶中的空洞型缺陷 | 第63-70页 |
| 7.1 前言 | 第63页 |
| 7.2 实验 | 第63-64页 |
| 7.3 实验结果 | 第64-67页 |
| 7.3.1 原生COPs | 第64-65页 |
| 7.3.2 H_2下COPs的消除 | 第65-67页 |
| 7.4 分析讨论 | 第67-68页 |
| 7.5 结论 | 第68-70页 |
| 第八章 总结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 在读期间发表论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |