| 中文摘要 | 第5-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 引言 | 第14-16页 |
| 1.2 静电感应器件简介 | 第16-18页 |
| 1.3 静电感应器件的典型结构 | 第18-20页 |
| 1.4 静电感应器件的应用 | 第20-22页 |
| 1.5 主要研究内容及创新点 | 第22-23页 |
| 第二章 版图设计与制版 | 第23-50页 |
| 2.1 LD041版与LD—SIT—0511版整体结构图及说明 | 第24-27页 |
| 2.2 LD—SIT—0603版及分版图设计 | 第27-38页 |
| 2.2.1 版图参数计算 | 第28-31页 |
| 2.2.2 浓硼版 | 第31页 |
| 2.2.3 淡硼栅版 | 第31-32页 |
| 2.2.4 染磷版 | 第32-33页 |
| 2.2.5 外延版 | 第33-34页 |
| 2.2.6 槽版 | 第34-36页 |
| 2.2.7 栅区补硼版 | 第36页 |
| 2.2.8 源区扩磷版 | 第36-37页 |
| 2.2.9 引线孔版 | 第37页 |
| 2.2.10 反刻版 | 第37-38页 |
| 2.3 LD—SIT—0703版及分版图设计 | 第38-42页 |
| 2.3.1 扩硼版与限场环版 | 第39-40页 |
| 2.3.2 扩磷版与切断环版 | 第40页 |
| 2.3.3 引线孔版与反刻版 | 第40-42页 |
| 2.4 光刻版制作 | 第42-48页 |
| 2.4.1 原始数据处理与数据分割 | 第42-43页 |
| 2.4.2 初缩版制作 | 第43-44页 |
| 2.4.3 精缩版制作及制版尺寸要求 | 第44-45页 |
| 2.4.4 电子束曝光制版技术 | 第45-47页 |
| 2.4.5 正负光刻版 | 第47-48页 |
| 2.4.6 光刻版检测 | 第48页 |
| 2.5 小结 | 第48-50页 |
| 第三章 制造工艺设计与电参数调节 | 第50-116页 |
| 3.1 材料准备与基本制造参数选取 | 第50-59页 |
| 3.1.1 材料参数的选取 | 第50-51页 |
| 3.1.2 材料准备 | 第51-53页 |
| 3.1.3 沟道厚度d_c | 第53-55页 |
| 3.1.4 沟道长度l_c | 第55-58页 |
| 3.1.5 栅体厚度t_g | 第58页 |
| 3.1.6 沟道宽度w_c | 第58-59页 |
| 3.2 工艺设计 | 第59-61页 |
| 3.2.1 简要工艺设计 | 第59-61页 |
| 3.2.2 对LD—SIT—0603版的单项试验 | 第61页 |
| 3.3 双极型静电感应晶体管的制造工艺 | 第61-82页 |
| 3.3.1 BSIT简介 | 第62-63页 |
| 3.3.2 BSIT工艺流程(范例) | 第63-66页 |
| 3.3.3 流片结果与特性分析(06-5-9批) | 第66-68页 |
| 3.3.4 BSIT制造工艺和规范 | 第68-82页 |
| 3.4 SIDⅠ—Ⅴ特性的转变 | 第82-87页 |
| 3.5 SIT性能参数的调节 | 第87-114页 |
| 3.5.1 工艺调节的内容 | 第87-89页 |
| 3.5.2 工艺调节与参数控制表 | 第89-94页 |
| 3.5.3 埋栅型SIT性能参数的调节 | 第94-114页 |
| 3.6 小结 | 第114-116页 |
| 第四章 关键制造工艺研究 | 第116-161页 |
| 4.1 外延工艺的研究 | 第116-143页 |
| 4.1.1 外延工艺简介 | 第116-121页 |
| 4.1.2 外延中的自掺杂效应 | 第121-133页 |
| 4.1.3 外延与染磷的匹配 | 第133-143页 |
| 4.2 台面槽、隔断槽与栅电极孔的刻蚀 | 第143-156页 |
| 4.2.1 栅电极孔刻蚀对器件Ⅰ—Ⅴ特性的影响 | 第144-146页 |
| 4.2.2 台面槽的刻蚀对器件特性的影响 | 第146-147页 |
| 4.2.3 刻蚀深度 | 第147-150页 |
| 4.2.4 腐蚀液的配比 | 第150-153页 |
| 4.2.5 分步刻槽法的提出 | 第153-156页 |
| 4.3 工艺的离散性和波动性 | 第156-159页 |
| 4.4 小结 | 第159-161页 |
| 第五章 静电感应器件的终端造型 | 第161-184页 |
| 5.1 埋栅型静电感应器件的深槽结构 | 第161-172页 |
| 5.1.1 电力器件的边缘造型 | 第161-165页 |
| 5.1.2 LD—SIT—0603版的槽结构 | 第165-172页 |
| 5.2 限场环与切断环 | 第172-183页 |
| 5.2.1 平而扩散结的击穿 | 第172-175页 |
| 5.2.2 限场环 | 第175-182页 |
| 5.2.3 切断环 | 第182-183页 |
| 5.3 小结 | 第183-184页 |
| 第六章 静电感应晶闸管的研制 | 第184-231页 |
| 6.1 SITH简介 | 第184-188页 |
| 6.2 SITH的参数设计与选取 | 第188-192页 |
| 6.2.1 沟道厚度 | 第188-190页 |
| 6.2.2 沟道长度 | 第190-191页 |
| 6.2.3 栅体厚度 | 第191页 |
| 6.2.4 沟道宽度 | 第191页 |
| 6.2.5 材料选取 | 第191-192页 |
| 6.3 SITH的工艺设计及参数调节 | 第192-219页 |
| 6.3.1 07-1-17批工艺流程(换版) | 第192-198页 |
| 6.3.2 流片结果与特性分析(07-1-17批) | 第198-201页 |
| 6.3.3 07-3-14批工艺流程 | 第201-203页 |
| 6.3.4 流片结果与特性分析(07-3-14批) | 第203-205页 |
| 6.3.5 硼扩散条件的估算 | 第205-209页 |
| 6.3.6 07-3-20批工艺流程 | 第209-211页 |
| 6.3.7 流片结果与特性分析(07-3-20批) | 第211-213页 |
| 6.3.8 新版工艺条件的确定 | 第213-214页 |
| 6.3.9 工艺流程(新版)及结果分析(07-4-9批) | 第214-217页 |
| 6.3.10 新版工艺流程及结果(07-4-17批) | 第217-219页 |
| 6.4 SITH负阻特性研究 | 第219-229页 |
| 6.4.1 负阻特性分析 | 第219-224页 |
| 6.4.2 SITH负阻转折电压与转折电流 | 第224-229页 |
| 6.5 小结 | 第229-231页 |
| 第七章 结论 | 第231-234页 |
| 参考文献 | 第234-241页 |
| 研究生期间的研究成果 | 第241-242页 |
| 致谢 | 第242-243页 |
