| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 GaN材料特性及研究意义 | 第13-15页 |
| 1.2 AlGaN/GaN异质结的研究 | 第15-19页 |
| 1.2.1 半导体异质结构的基本概念 | 第15-16页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN异质结的发展及特性 | 第16-19页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT器件及欧姆接触的研究 | 第19-21页 |
| 1.3.1 AlGaN/GaN HEMT器件概述 | 第19-21页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触 | 第21页 |
| 1.4 本论文主要研究工作 | 第21-25页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMTs中的电子分布 | 第25-47页 |
| 2.1 极化效应 | 第25-28页 |
| 2.1.1 自发极化 | 第25-27页 |
| 2.1.2 压电极化 | 第27-28页 |
| 2.2 数值模型及其求解 | 第28-30页 |
| 2.3 不同因素对AlGaN/GaN HEMTs中电子分布的影响 | 第30-44页 |
| 2.3.1 极化效应对电子分布的影响 | 第30-33页 |
| 2.3.2 AlGaN势垒层和隔离层厚度对电子分布的影响 | 第33-38页 |
| 2.3.3 n-AlGaN层中掺杂浓度对电子分布的影响 | 第38-40页 |
| 2.3.4 Al组分及应变弛豫度对电子分布的影响 | 第40-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-47页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMTs器件性能研究 | 第47-75页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT解析模型 | 第47-58页 |
| 3.1.1 电荷控制模型 | 第47-49页 |
| 3.1.2 电流-电压特性 | 第49-55页 |
| 3.1.3 小信号参数 | 第55-58页 |
| 3.2 结果和讨论 | 第58-69页 |
| 3.2.1 直流特性和小信号参数 | 第58-62页 |
| 3.2.2 极化效应对器件性能的影响 | 第62-65页 |
| 3.2.3 Al组分和应变弛豫度对器件性能的影响 | 第65-69页 |
| 3.3 自热效应对蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT的影响 | 第69-73页 |
| 3.3.1 关于包含自热效应的模型建立 | 第70-72页 |
| 3.3.2 自热效应对器件性能的影响 | 第72-73页 |
| 3.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMTs欧姆接触研究 | 第75-99页 |
| 4.1 欧姆接触理论及传输线模型 | 第75-79页 |
| 4.1.1 欧姆接触理论 | 第75-77页 |
| 4.1.2 传输线模型 | 第77-79页 |
| 4.2 AlGaN/GaN异质结构上的欧姆接触 | 第79-86页 |
| 4.2.1 影响欧姆接触比接触电阻的因素 | 第79-81页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaN异质结上欧姆接触的设计原理 | 第81-83页 |
| 4.2.3 AlGaN/GaN异质结上欧姆接触的研究进展 | 第83-85页 |
| 4.2.4 AlGaN/GaN异质结上欧姆接触的制作 | 第85-86页 |
| 4.3 Ti/Al与AlGaN/GaN异质结上的欧姆接触 | 第86-87页 |
| 4.4 Ti/Al/Ni/Au与AlGaN/GaN异质结上的欧姆接触 | 第87-94页 |
| 4.4.1 Ti/Al/Ni/Au金属体系结构对欧姆接触的影响 | 第87-90页 |
| 4.4.2 退火条件对欧姆接触的影响 | 第90-93页 |
| 4.4.3 表面处理对欧姆接触的影响 | 第93-94页 |
| 4.5 欧姆接触对AlGaN/GaN HEMTs器件特性的影响 | 第94-95页 |
| 4.6 温度对欧姆接触的影响 | 第95-97页 |
| 4.7 本章小节 | 第97-99页 |
| 第五章 AlGaN/GaN异质结材料的制备 | 第99-111页 |
| 5.1 AlGaN/GaN异质结材料的生长 | 第99-103页 |
| 5.1.1 AlGaN/GaN异质结材料生长技术及基本原理 | 第99-101页 |
| 5.1.2 AlGaN/GaN异质结材料生长衬底的选择 | 第101-103页 |
| 5.2 AlGaN/GaN异质结材料特性 | 第103-109页 |
| 5.2.1 Al组分x≤35%的AlGaN/GaN异质结结构 | 第103-106页 |
| 5.2.2 高Al组分的AlGaN/GaN异质结结构 | 第106-108页 |
| 5.2.3 AlGaN/GaN异质结材料的变温Hall效应 | 第108-109页 |
| 5.3 本章小结 | 第109-111页 |
| 第六章 AlGaN/GaN HEMT器件制作 | 第111-127页 |
| 6.1 器件制作的基本工艺 | 第111-115页 |
| 6.1.1 光刻 | 第111-114页 |
| 6.1.2 金属淀积 | 第114-115页 |
| 6.2 AlGaN/GaN HEMT器件制作及特性 | 第115-123页 |
| 6.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺流程 | 第116-118页 |
| 6.2.2 Al组分x≤35%的AlGaN/GaN HEMT器件特性 | 第118-121页 |
| 6.2.3 高Al组分AlGaN/GaN HEMT器件特性 | 第121-123页 |
| 6.2.4 不同栅长的AlGaN/GaN HEMT器件特性 | 第123页 |
| 6.3 温度对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响 | 第123-125页 |
| 6.4 本章小结 | 第125-127页 |
| 第七章 结束语 | 第127-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-145页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第145-147页 |
