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LEC法生长GaP单晶

中文摘要第3-5页
目录第5-7页
前言第7-9页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 磷化镓半导体材料第9-13页
    1.2 LEC法拉制磷化镓单晶国内外发展及研究状况第13-15页
    1.3 本课题研究背景及目的第15-16页
第二章 磷化镓的性质及发光机理第16-35页
    2.1 磷化镓的基本性质第16-20页
    2.2 磷化镓的发光机理第20-35页
第三章 LEC法拉制磷化镓单晶的工艺第35-55页
    3.1 LEC法拉制磷化镓的基本原理第35-39页
    3.2 LEC法拉制磷化镓的原料准备第39-45页
    3.3 LEC法拉制磷化镓的实验设备第45-47页
    3.4 LEC法拉制磷化镓的炉内气氛第47-50页
    3.5 关于拉速的选择第50-52页
    3.6 关于硅污染的问题第52-53页
    3.7 实验工艺流程第53-55页
第四章 LEC法拉制磷化镓单晶的试验第55-62页
    4.1 原料来源第55页
    4.2 实验过程第55-57页
    4.3 实验数据第57-62页
第五章 结论第62-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-68页

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