| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 概述 | 第9-22页 |
| §1.1 非易失性存储器简介 | 第9-17页 |
| 1.1.1 闪存的发展史 | 第10-11页 |
| 1.1.2 闪存的基本工作原理 | 第11-12页 |
| 1.1.3 闪存的操作 | 第12-14页 |
| 1.1.4 浮栅闪存面临的挑战 | 第14-17页 |
| 1.1.5 SONOS 的选择和局限 | 第17页 |
| §1.2 纳米晶存储器简介 | 第17-19页 |
| §1.3 纳米晶的制备方法 | 第19-21页 |
| 1.3.1 一般无机材料纳米晶的制备 | 第19-20页 |
| 1.3.2 Si 纳米晶的制备 | 第20页 |
| 1.3.3 金属纳米晶的制备 | 第20-21页 |
| §1.4 本文研究的目的和内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验方法 | 第22-35页 |
| §2.1 材料和工艺的选择 | 第22-26页 |
| 2.1.1 材料的选择 | 第22页 |
| 2.1.2 制备工艺简介 | 第22-26页 |
| §2.2 设备和测试方法 | 第26-34页 |
| 2.2.1 制备工艺设备 | 第26页 |
| 2.2.2 测试设备和方法 | 第26-34页 |
| §2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 PVD 方法制备 Ti 基纳米晶的研究 | 第35-42页 |
| §3.1 实验设计 | 第35-37页 |
| 3.1.1 PVD Ti/TiN 薄膜沉积原理 | 第35-36页 |
| 3.1.2 PVD Ti/TiN 薄膜沉积速率的研究 | 第36-37页 |
| 3.1.3 PVD Ti/TiN 纳米晶的制备 | 第37页 |
| §3.2 实验结果与分析 | 第37-41页 |
| §3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 TiCl4-CVD Ti 纳米晶工艺的研究 | 第42-50页 |
| §4.1 实验设计 | 第42-44页 |
| 4.1.1 TiCl4-CVD Ti 薄膜沉积原理 | 第42页 |
| 4.1.2 TiCl4-CVD Ti 沉积速率的研究 | 第42-43页 |
| 4.1.3 TiCl4-CVD Ti 纳米晶的制备 | 第43-44页 |
| §4.2 实验结果与分析 | 第44-49页 |
| 4.2.1 TiCl4-CVD Ti 薄膜沉积速率的研究结果 | 第44-45页 |
| 4.2.2 TiCl4-CVD Ti 纳米晶的制备结果 | 第45-49页 |
| §4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 TiCl4-CVD TiN 纳米晶工艺的研究 | 第50-60页 |
| §5.1 实验设计 | 第50-52页 |
| 5.1.1 TiCl4-CVD TiN 薄膜沉积原理 | 第50页 |
| 5.1.2 TiCl4-CVD TiN 薄膜沉积速率的研究 | 第50-51页 |
| 5.1.3 TiCl4-CVD TiN 纳米晶的制备 | 第51-52页 |
| §5.2 实验结果与分析 | 第52-57页 |
| 5.2.1 TiCl4-CVD TiN 薄膜沉积速率的研究结果 | 第52-53页 |
| 5.2.2 TiCl4-CVD TiN 纳米晶的制备结果 | 第53-57页 |
| §5.3 Ti 和 TiN 纳米晶的比较 | 第57-59页 |
| §5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结和展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
