| 中文摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第7-15页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 SiGe HBT的发展历史及发展现状 | 第8-13页 |
| 1．2．1 SiGe HBT及IC的发展历史 | 第8-9页 |
| 1．2．2 国际方面的发展现状 | 第9-11页 |
| 1．2．3 国内方面的发展现状 | 第11-12页 |
| 1．2．4 本实验室的研究状况 | 第12-13页 |
| 1．3 研究趋势 | 第13-14页 |
| 1．4 本课题的研究意义和主要工作 | 第14页 |
| 1．5 本章小结 | 第14-15页 |
| 第2章 高频功率晶体管的分析 | 第15-28页 |
| 2．1 功率晶体管的特性 | 第15-19页 |
| 2．1．1 功率晶体管的技术参数 | 第15-16页 |
| 2．1．2 功率晶体管的大电流效应 | 第16-18页 |
| 2．1．3 功率晶体管的热特性 | 第18页 |
| 2．1．4 基区电阻对晶体管特性的影响 | 第18-19页 |
| 2．2 功率晶体管的频率特性 | 第19-20页 |
| 2．3 高频功率晶体管的设计分析 | 第20-21页 |
| 2．4 SiGe器件在高频功率方面的优势 | 第21-27页 |
| 2．4．1 SiGe材料及SiGe器件的特点和在频率上的优势 | 第21-25页 |
| 2．4．2 SiGe器件在功率上的优势 | 第25-26页 |
| 2．4．3 本实验室SiGe新结构在高频功率上的优势 | 第26-27页 |
| 2．5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 高频功率SiGe HBT的设计 | 第28-48页 |
| 3．1 该高频功率SiGe HBT器件的设计指标 | 第28-29页 |
| 3．2 SiGe合金层中的几个常用参数的计算 | 第29-32页 |
| 3．2．1 能带的减小 | 第29页 |
| 3．2．2 介电常数 | 第29页 |
| 3．2．3 P型SiGe基区中空穴的迁移率 | 第29-30页 |
| 3．2．4 基区中电子的扩散系数的计算 | 第30-31页 |
| 3．2．5 应变SiGe层的有效态密度的计算 | 第31-32页 |
| 3．2．6 应变SiGe层的本征载流子浓度的计算 | 第32页 |
| 3．3 纵向结构参数的选取 | 第32-37页 |
| 3．3．1 集电区外延层电阻率（掺杂浓度）的确定 | 第32页 |
| 3．3．2 基区参数的选取 | 第32-35页 |
| 3．3．3 发射极厚度和集电极厚度的选取 | 第35-37页 |
| 3．4 横向结构参数的选取 | 第37-41页 |
| 3．4．1 单元发射极宽度、长度和个数的选取 | 第38-41页 |
| 3．5 主要电学参数的理论计算 | 第41-45页 |
| 3．5．1 晶体管的特征频率的计算 | 第41-44页 |
| 3．5．2 功率增益G_p的计算 | 第44-45页 |
| 3．5．3 最高振荡频率f_（max）的计算 | 第45页 |
| 3．6 对于SiGe高频功率器件设计的讨论 | 第45-47页 |
| 3．7 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 对于所设计的器件的模拟分析 | 第48-57页 |
| 4．1 对于晶体管的直流电流方程的模拟 | 第48-50页 |
| 4．1．1 对器件的转移特性的模拟 | 第48-49页 |
| 4．1．2 对器件的输出特性的模拟 | 第49-50页 |
| 4．2 用Pspice对设计器件的模拟 | 第50-56页 |
| 4．2．1 SiGe功率HBT的直流特性模拟 | 第52-54页 |
| 4．2．2 SiGe功率HBT的交流特性模拟 | 第54-56页 |
| 4．3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 高频功率SiGe HBT的工艺及改进 | 第57-64页 |
| 5．1 基本工艺流程 | 第57-60页 |
| 5．2 工艺制作中所要注意的问题 | 第60-62页 |
| 5．2．1 光刻时的问题 | 第60-61页 |
| 5．2．2 欧姆接触 | 第61页 |
| 5．2．3 合金时的问题 | 第61页 |
| 5．2．4 封装时的问题 | 第61-62页 |
| 5．3 为提高器件特性采取的措施 | 第62-63页 |
| 5．3．1 采用绝缘衬底减小寄生电容 | 第62-63页 |
| 5．3．2 采用侧壁氧化自对准技术 | 第63页 |
| 5．4 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 感谢 | 第69页 |