| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-39页 |
| §1.1 显示技术概况 | 第13-14页 |
| §1.2 固态照明技术概况 | 第14-16页 |
| §1.3 有机电致发光器件的发展状况 | 第16-25页 |
| §1.3.1 有机电致发光器件的优点 | 第16-17页 |
| §1.3.2 有机电致发光器件的发展历史和前景 | 第17-21页 |
| §1.3.3 有机电致发光器件的分类 | 第21-25页 |
| §1.4 有机电致发光器件原理 | 第25-32页 |
| §1.4.1 有机电致发光器件的工作原理 | 第25-27页 |
| §1.4.2 有机电致发光器件性能的表征 | 第27-31页 |
| §1.4.3 有机电致发光器件存在的问题 | 第31-32页 |
| §1.5 本论文的主要工作 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |
| 第2章 四氧化三铁阳极缓冲层的研究 | 第39-65页 |
| §2.1 器件电极及其缓冲层的选择 | 第39-41页 |
| §2.1.1 电极材料的分类 | 第39-40页 |
| §2.1.2 缓冲层材料的选择 | 第40-41页 |
| §2.2 四氧化三铁做为阳极缓冲层的底发射器件 | 第41-49页 |
| §2.2.1 器件结构设计及参数优化 | 第42-46页 |
| §2.2.2 空穴的注入对器件性能的影响分析 | 第46-49页 |
| §2.3 四氧化三铁做为阳极缓冲层的顶发射器件 | 第49-57页 |
| §2.3.1 器件结构参数设计 | 第49-53页 |
| §2.3.2 改善空穴注入能力的测试表征 | 第53-57页 |
| §2.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 第3章 四氧化三铁p型掺杂提高器件空穴注入和传输 | 第65-93页 |
| §3.1 有机半导体的p/n掺杂 | 第65-67页 |
| §3.1.1 有机半导体p/n掺杂理论 | 第65-66页 |
| §3.1.2 常用的p/n掺杂材料 | 第66-67页 |
| §3.2 四氧化三铁掺杂空穴注入层 | 第67-75页 |
| §3.2.1 器件结构设计与优化 | 第67-71页 |
| §3.2.2 p掺杂性能的测试分析 | 第71-75页 |
| §3.3 四氧化三铁掺杂空穴传输层 | 第75-79页 |
| §3.3.1 器件参数的优化 | 第75-77页 |
| §3.3.2 p掺杂性能的测试表征 | 第77-79页 |
| §3.4 基于不同主体材料的四氧化三铁p掺杂的作用机理 | 第79-86页 |
| §3.4.1 器件的设计 | 第79-81页 |
| §3.4.2 掺杂机理的分析表征 | 第81-86页 |
| §3.5 本章小结 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-93页 |
| 第4章 引入磁性材料OLED的磁场效应 | 第93-115页 |
| §4.1 有机自旋电子学 | 第93-97页 |
| §4.1.1 OLED的磁场效应 | 第94-95页 |
| §4.1.2 常用的磁性材料 | 第95-97页 |
| §4.2 四氧化三铁薄膜器件的磁场效应 | 第97-102页 |
| §4.2.1 器件的设计和结构优化 | 第97-100页 |
| §4.2.2 磁场效应的测试 | 第100-102页 |
| §4.3 四氧化三铁掺杂器件的磁场效应 | 第102-110页 |
| §4.3.1 器件的制备与测试 | 第102-107页 |
| §4.3.2 磁场效应的分析 | 第107-110页 |
| §4.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-115页 |
| 第5章 结论 | 第115-117页 |
| 科研成果 | 第117-121页 |
| 致谢 | 第121页 |