当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
双光束激光干涉纳米光刻设备研发
基于模型降阶的压电俘能器与外接电路的耦合仿真
激光辐照及退火处理对氧化锌薄膜可见光发光性能调控的研究
氧化镓基光电探测器的研制与研究
低维纳米器件及应用
倒置OLED电子注入与光耦合特性研究
影响OLED寿命因素的研究
杂化钙钛矿CH3NH3PbI3和有机聚合物光电探测器制备及性能研究
Cu-In-Zn-Se量子点发光二极管的器件结构及性能研究
透明OLED的制备及影响其发光性能的因素研究
GaN基黄绿光LED外延生长及多量子阱中载流子输运特性研究
有机半导体界面载流子复合机制研究
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管保护层材料与工艺的研究
以Al2O3作为栅绝缘介质的并五苯基OTFT的研究
白光有机电致发光器件的研究
氧化锌纳米纤维沟道铁电场效应晶体管的制备及性能研究
脉冲Ⅰ-Ⅴ在微纳场效应晶体管中的测试方法及性能研究
被动补偿系统动态特性研究
四元合金GaAsBiN电子和光学性质的第一性原理研究
提高荧光有机电致发光器件性能的研究
P-型Cu3Ga5Te9基半导体材料的结构及热电性能研究
Ta2O5绝缘栅IZO-TFT制备与性能研究
Ge/InxGa1-xAs异质结发光特性研究
全湿法制备聚合物白光器件的研究
GaN HEMT等离子体波非共振响应基础研究
规整性碳纳米管条纹沟道铁电场效应晶体管的制备与表征
InP基HEMT器件模型研究
聚焦离子束/电子束技术在三维纳米器件加工中的应用
基于互补色的白光OLED器件研究
面向半导体显示器制造企业的设备安全管理方法研究
高色域OLED器件的实现及视角研究
双掺杂体系磷光有机电致发光器件的溶液法制备及瞬态特性研究
晶闸管触发与检测自供电电路研究
FS-IGBT芯片的背面工艺研究
MOS-GCT的关断机理与特性分析
VLD-JTE复合终端结构的特性及工艺研究
SiC MOSFET功率器件模型研究及仿真应用
1200V IGBT与SiC MOSFET驱动保护电路设计
Si图形化衬底研究及其在3C-SiC生长上的应用
3C-SiC薄膜剥离技术及其表面钝化研究
IGCT开通与关断电路的设计和验证
溶液法制备热活化延迟荧光型超结构分子OLED器件与性能测试
量子点发光二极管各功能层的性能优化
无电解电容的AC/DC LED驱动电路设计
ZnO基发光器件的制备及其性能的研究
面向并行计算平台的源代码核心部分分析
基于C-MEMS工艺的微结构间碳悬浮结构制造与测试
P3HT薄膜器件中磁场效应的研究
高性能驱动关键技术研究
基于二聚体理论与扩散理论的Si1-xGex材料生长动力学模型
上一页
[29]
[30]
[31]
[32]
[33]
下一页
