| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 图录 | 第10-12页 |
| 表录 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 薄膜晶体管 | 第13-21页 |
| 1.2.1 TFT 工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.2 常用的 TFT 器件结构 | 第15-16页 |
| 1.2.3 TFT 的制备工艺 | 第16-19页 |
| 1.2.4 TFT 中的半导体材料 | 第19-21页 |
| 1.3 a-IGZOTFT | 第21-26页 |
| 1.3.1 a-IGZOTFT 的发展 | 第21页 |
| 1.3.2 a- IGZO 材料特性 | 第21-24页 |
| 1.3.3 a-IGZOTFT 的研究现状 | 第24-26页 |
| 1.4 研究意义和研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 薄膜晶体管器件的制作和表征 | 第28-38页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 薄膜晶体管的制作 | 第28-32页 |
| 2.2.1 材料的选择 | 第28-30页 |
| 2.2.2 器件制作工艺和流程 | 第30-32页 |
| 2.3 薄膜晶体管的表征 | 第32-35页 |
| 2.3.1 薄膜晶体管器件的电学特性 | 第32-34页 |
| 2.3.2 薄膜晶体管的稳定性 | 第34-35页 |
| 2.4 薄膜特性的表征 | 第35-37页 |
| 2.4.1 成膜速率 | 第35-36页 |
| 2.4.2 薄膜晶体结构 | 第36页 |
| 2.4.3 薄膜表面形貌 | 第36-37页 |
| 2.4.4 薄膜透过率 | 第37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 不同保护层材料对 a-IGZOTFT 器件特性的影响 | 第38-54页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 a-IGZOTFT 和保护层薄膜的制备 | 第38-39页 |
| 3.3 材料和单层膜分析 | 第39-44页 |
| 3.3.1 材料分析 | 第40页 |
| 3.3.2 晶体结构 | 第40-41页 |
| 3.3.3 成膜速率 | 第41-42页 |
| 3.3.4 表面形貌 | 第42-43页 |
| 3.3.5 透光性 | 第43-44页 |
| 3.4 a-IGZOTFT 电学特性 | 第44-48页 |
| 3.5 a-IGZOTFT 的稳定性 | 第48-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 保护层的优化对 a-IGZOTFT 稳定特性的影响 | 第54-69页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 a-IGZOTFT 稳定性分析 | 第54-62页 |
| 4.2.1 环境稳定性 | 第54-57页 |
| 4.2.2 偏压稳定性 | 第57-58页 |
| 4.2.3 光照偏压稳定性 | 第58-62页 |
| 4.3 TiO_2保护层的 a-IGZOTFTPBS 不稳定性的研究 | 第62-68页 |
| 4.3.1 实验设计 | 第62-63页 |
| 4.3.2 结果分析 | 第63-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结和展望 | 第69-71页 |
| 5.1 论文主要内容总结 | 第69-70页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第77-80页 |
| 附表 | 第80页 |
