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以Al2O3作为栅绝缘介质的并五苯基OTFT的研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 引言第9页
    1.2 有机薄膜晶体管的研究进展第9-11页
    1.3 有机薄膜晶体管的未来应用第11-13页
    1.4 有机薄膜晶体管存在的问题和发展趋势第13页
    1.5 本论文的主要研究内容第13-15页
第二章 有机薄膜晶体管的工作原理第15-21页
    2.1 有机薄膜晶体管的常见结构第15-16页
    2.2 有机薄膜晶体管的工作原理第16-19页
        2.2.1 MOSFET的工作原理第16-18页
        2.2.2 OTFT的工作原理第18-19页
    2.3 表征OTFT的主要性能指标第19-21页
第三章 有机薄膜晶体管的制备第21-29页
    3.1 有机薄膜晶体管的材料体系第21-23页
        3.1.1 有机半导体材料第21-22页
        3.1.2 绝缘层材料第22-23页
        3.1.3 电极材料第23页
    3.2 器件的清洗第23-24页
    3.3 绝缘层的制备第24-26页
    3.4 有机半导体薄膜的制备第26-28页
        3.4.1 真空镀膜第26-27页
        3.4.2 溶液成膜第27页
        3.4.3 并五苯薄膜的制备第27-28页
    3.5 源、漏电极的制备第28页
    3.6 本章小结第28-29页
第四章 退火对OTFT性能的影响第29-39页
    4.1 实验部分第29-30页
    4.2 结果与分析第30-37页
    4.3 本章小结第37-39页
第五章 有源层厚度对有机薄膜晶体管的影响第39-49页
    5.1 实验部分第39-40页
    5.2 结果与分析第40-47页
    5.3 本章小结第47-49页
第六章 基于并五苯OTFT的器件仿真第49-55页
    6.1 器件仿真的原理第49-50页
    6.2 材料参数第50页
    6.3 基于并五苯的 OTFT 器件建模仿真第50-54页
    6.4 本章小结第54-55页
第七章 结论第55-57页
致谢第57-59页
参考文献第59-62页

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