以Al2O3作为栅绝缘介质的并五苯基OTFT的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的研究进展 | 第9-11页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的未来应用 | 第11-13页 |
| 1.4 有机薄膜晶体管存在的问题和发展趋势 | 第13页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 有机薄膜晶体管的工作原理 | 第15-21页 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的常见结构 | 第15-16页 |
| 2.2 有机薄膜晶体管的工作原理 | 第16-19页 |
| 2.2.1 MOSFET的工作原理 | 第16-18页 |
| 2.2.2 OTFT的工作原理 | 第18-19页 |
| 2.3 表征OTFT的主要性能指标 | 第19-21页 |
| 第三章 有机薄膜晶体管的制备 | 第21-29页 |
| 3.1 有机薄膜晶体管的材料体系 | 第21-23页 |
| 3.1.1 有机半导体材料 | 第21-22页 |
| 3.1.2 绝缘层材料 | 第22-23页 |
| 3.1.3 电极材料 | 第23页 |
| 3.2 器件的清洗 | 第23-24页 |
| 3.3 绝缘层的制备 | 第24-26页 |
| 3.4 有机半导体薄膜的制备 | 第26-28页 |
| 3.4.1 真空镀膜 | 第26-27页 |
| 3.4.2 溶液成膜 | 第27页 |
| 3.4.3 并五苯薄膜的制备 | 第27-28页 |
| 3.5 源、漏电极的制备 | 第28页 |
| 3.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 退火对OTFT性能的影响 | 第29-39页 |
| 4.1 实验部分 | 第29-30页 |
| 4.2 结果与分析 | 第30-37页 |
| 4.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 第五章 有源层厚度对有机薄膜晶体管的影响 | 第39-49页 |
| 5.1 实验部分 | 第39-40页 |
| 5.2 结果与分析 | 第40-47页 |
| 5.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第六章 基于并五苯OTFT的器件仿真 | 第49-55页 |
| 6.1 器件仿真的原理 | 第49-50页 |
| 6.2 材料参数 | 第50页 |
| 6.3 基于并五苯的 OTFT 器件建模仿真 | 第50-54页 |
| 6.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第七章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
