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高性能驱动关键技术研究

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
1 引言第11-17页
    1.1 课题研究背景第11-13页
    1.2 国内外研究现状第13-15页
    1.3 论文主要研究内容第15-17页
2 SiC MOSFET工作特性研究第17-42页
    2.1 SiC MOSFET结构与工作原理第17-18页
    2.2 静态特性研究第18-19页
    2.3 动态特性研究第19-25页
        2.3.1 极间电容第19-21页
        2.3.2 开关特性研究第21-25页
    2.4 动态特性测试第25-35页
        2.4.1 双脉冲测试的意义与原理第25-27页
        2.4.2 主电路参数设计第27-28页
        2.4.3 动态特性测试结果分析第28-31页
        2.4.4 SiC与Si器件特性对比分析第31-35页
    2.5 短路保护研究第35-41页
        2.5.1 短路故障分析第35-37页
        2.5.2 短路检测电路设计第37-38页
        2.5.3 退饱和检测原理第38-39页
        2.5.4 短路保护阈值电压设定第39-41页
    2.6 本章小结第41-42页
3 驱动电路关键参数研究第42-53页
    3.1 SiC驱动电路特性第42-43页
    3.2 SiC MOSFET驱动方案研究对比第43-45页
        3.2.1 基于IXDI414的驱动电路第43-45页
        3.2.2 基于SID1182K的驱动电路第45页
    3.3 驱动电压设计第45-46页
    3.4 驱动功率计算第46-47页
    3.5 电气隔离第47-48页
    3.6 门极电压保护第48-50页
    3.7 串扰机理与抑制方法研究第50-51页
    3.8 有源钳位第51-52页
    3.9 本章小结第52-53页
4 驱动电路设计第53-69页
    4.1 驱动电源电路设计第53-58页
        4.1.1 反激电路变压器设计第54-55页
        4.1.2 反激电路控制电路设计第55-58页
    4.2 栅极驱动电路设计第58-65页
        4.2.1 栅极驱动电阻设计第59-60页
        4.2.2 栅极电容设计第60页
        4.2.3 欠压保护电路设计第60-62页
        4.2.4 逻辑处理设计第62-64页
        4.2.5 驱动板PCB设计第64-65页
    4.3 实验结果与分析第65-68页
        4.3.1 驱动测试第65-67页
        4.3.2 短路测试第67-68页
    4.4 本章小结第68-69页
5 总结与展望第69-71页
    5.1 全文工作总结第69页
    5.2 后续工作展望第69-71页
参考文献第71-73页
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果第73-77页
学位论文数据集第77页

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